[实用新型]一种大面积沉积非晶硅的反应盒无效

专利信息
申请号: 98217220.6 申请日: 1998-07-19
公开(公告)号: CN2348493Y 公开(公告)日: 1999-11-10
发明(设计)人: 周庆明 申请(专利权)人: 周庆明
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 深圳*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 大面积 沉积 非晶硅 反应
【说明书】:

实用新型涉及非晶硅太阳能电池的非晶硅沉积设备部件,特别涉及一种大面积沉积非晶硅的反应盒。

公知的国内工业化大面积非晶硅太阳能电池的非晶硅沉积炉,其大面积沉积非晶硅的反应盒沉积出的非晶硅,其主要问题之一是,非晶硅层的厚度的不均匀性,原因出在,国内工业化大面积沉积非晶硅的反应盒中反应气体气流分布的不均匀性。

本实用新型的目的在于提供一种大面积沉积非晶硅的反应盒,能够明显改善反应盒中反应气体在非晶硅沉积空间的气流分布的均匀性,从而提高沉积出的非晶硅层厚度的均匀性,提高工业化生产的大面积非晶硅层的质量。

本实用新型的目的是通过以下方式实现的:

本实用新型一种大面积沉积非晶硅的反应盒,由不锈钢反应气体上导气管(1),不锈钢反应盒门板(2),反应盒中心铝电极板(3),不锈钢反应气体下导气管(4),不锈钢反应盒两端头堵板(7)构成。所述反应盒不锈钢上反应气体导气管(1)的不锈钢材料选择为0Cr18Ni9Ti或0Cr18Ni11Ti,导气管壁厚为1~2mm,上导气管横截面为吕字型方通,即在不锈钢方通孔的中间有一隔板,将原方通孔分为上下两个方通孔,在隔板上制有m排n列个直径为d的气流孔(其中m,n为大于1的正整数),在不锈钢反应气体上导气管(1)下部有一倒“U”型槽,使上导气管可以架在反应盒中心铝电极板(3)上,在不锈钢反应气体上导气管(1)下部倒“U”型槽内有聚四氟乙烯“U”型槽,套在反应盒中心铝电极板(3)上,使不锈钢反应气体上导气管(1)和反应盒中心铝电极板(3)之间有聚四氟乙烯槽相隔,保证不锈钢反应气体上导气管(1)与反应盒中心铝电极板(3)电气绝缘,在不锈钢反应气体上导气管(1)下部“U”型槽的两侧,各有一排相距为a直径为b的气流孔,上导气管的进出气口在“吕”字型不锈钢反应气体上导气管的上方通孔管的位置,这样设计,使得在真空中,反应气体首先由进气口进入不锈钢反应气体上导气管的上方通孔内,然后,经过上、下方通孔间的隔板上的气流孔减压、均压后进入下方通孔管,再经过上导气管的底部两排每个气流孔均匀地流入反应盒内两个沉积区间,达到在反应盒内非晶硅沉积空间里反应气体的气流分布均匀的目的;或者,在反应盒内非晶硅沉积空间里反应气体,经“U”槽两侧的每个气流孔均匀地流入不锈钢反应气体上导气管的下方通孔内,然后,经过上、下方通孔间的隔板上的气流孔均压后进入上方通孔,再经进出气口抽出反应盒;所述反应盒中心铝电极板(3)由铝材料制成,为厚度约1cm的长度与上下导气管长度相同的长方形铝板,为非晶硅沉积反应盒的射频电源的正极,在铝板的导气管进气口侧的中间位置,有一射频电源正极输入电极杆;所述不锈钢反应气体下导气管(4)内部的导气方通孔及气流孔的结构与不锈钢反应气体上导气管的结构相同,其上底部有“U”槽,槽内有一“U”型聚四氟乙烯槽,套在反应盒中心铝电极板的下底部,使不锈钢反应气体下导气管(4)与反应盒中心铝电极板(3)保证电气绝缘,不锈钢反应气体下导气管(4)的下底部装有轮轴,不锈钢反应气体下导气管(4)的反应气体进、出下导气管的原理与作用和不锈钢反应气体上导气管(1)的相同。所述不锈钢反应盒门板(2)由不锈钢材料0Cr18Ni9Ti或0Cr18Ni11Ti制成,板厚为1~2mm,门板的长度与反应盒的长度相同,门板的高度与中心铝板加上导气管的高度相同,不锈钢反应盒门板(2)有两个,分别立于中心铝板的两侧贴于上、下导气管上,分别与中心铝板相距25~30mm的间距,并与中心铝板相绝缘,不锈钢反应盒门板(2)的横截面示意图及纵截面示意图如图六和图七所示。所述不锈钢反应盒两端头堵板(7)由不锈钢0Cr18Ni9Ti或0Cr18Ni11Ti材料制成,为两个高度与反应盒高度相同,宽度与反应盒宽度相同的长方形堵头板,将两个非晶硅沉积反应空间堵住,并由聚四氟乙烯板条将不锈钢反应盒两端头堵板(7)与中心铝电极板保证电气绝缘。不锈钢上、下反应气体导气管和两个不锈钢反应盒门板及两个不锈钢反应盒两端头堵板形成反应盒的负极。至此,即组成了一种大面积沉积非晶硅的反应盒,在反应盒的中心铝电极板的两侧各贴靠一块待沉积非晶硅的玻璃衬底,在反应盒的两个不锈钢反应盒门板(2)的内侧各贴靠一块待沉积非晶硅的玻璃衬底,即一个反应盒一次可放置四块待沉积非晶硅的玻璃衬底进行沉积非晶硅的操作。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周庆明,未经周庆明许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98217220.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top