[实用新型]外触发出光延时稳定的固体激光器的调Q电源无效
申请号: | 98225813.5 | 申请日: | 1998-01-14 |
公开(公告)号: | CN2325895Y | 公开(公告)日: | 1999-06-23 |
发明(设计)人: | 郭文跃;方黎;张树东;蔡继业;罗治江;姜芸芸;魏杰;章莲蒂;张柏林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S3/00 | 分类号: | H01S3/00 |
代理公司: | 中国科学院合肥专利事务所 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触发 延时 稳定 固体激光器 电源 | ||
1.一种外触发出光延时稳定的固体激光器的调Q电源,是由变压器(T)副边的调Q晶体(Q)与电容器(C2)并联,再和电容(C3)串联后,与闸流管的(A)、(K)端并联,其中(A)端和调Q晶体(Q)与电容(C2)的连接点相连;电容(C3)的另一端和闸流管的(K)端相连,变压器(T)的副边加在闸流管的(G)端和(K)端之间,直流稳压电源(V2)通过限流电阻(R2)加在闸流管(A)、(K)端之间,(A)端接高电位;电容(C3)上的电压是直流稳压电源(V2)通过电阻(R4)、(R5)分压后,由限流电阻(R3)提供;其特征是,变压器(T)的原边和续流二极管(D)并联后,与垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的漏极——源极串联,垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的漏极和变压器(T)的原边一端、二极管(D)正端连接点相连,变压器(T)的原边的另一端、二极管(D)负端和电容(C1)的一端相连后,通过限流电阻(R1)接直流稳压电源(V1)的正端;垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的源极和电容(C1)的另一端相连后接地,和直流稳压电源(V1)的接地端相连。
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