[实用新型]射频磁控溅射对靶装置

说明书

本实用新型属于一种固体材料镀膜装置，适合在金属表面或非金属表面上镀膜使用。

目前，对于某一种金属及非金属材料上的表面镀膜通常均采用平面靶或直流对向靶磁控溅射设备，其结构是在对靶一端设有被镀物料，形成基片，在靶的另一方放上镀膜材料，将对靶放入真空腔内充入氩气，在镀膜材料靶上设有强磁场，由于氩气的特性，在强磁场情况下对镀膜材料进行轰击，使得镀膜材料被轰击后溅落在基片上，以达到镀膜的目的，此种靶结构不足是溅射速率低，镀膜对间长，而且镀膜质量差，对于某些材料难以达到要求。

为解决以上镀膜技术的不是，本实用新型的目的提供一种射频磁控溅射对靶装置，以达到以往直流对靶所不能生长的非金属薄膜。

本实用新型的结构设计是这样实现的：该对靶装置为对称结构，上下两靶结构相同，每个靶的结构是外面为屏蔽层，屏蔽层里面为靶体，靶体的呈面为磁屏蔽层，靶中心为冷却水管，两靶相对一端装有磁块，磁块之间分别放有靶材(为镀膜金属材料)，两靶相对之间的屏蔽层中间为开口结构，两靶外面磁屏蔽距离与两靶之间距离近似为20∶1(如图1所示)。

本实用新型之优点：结构简单，因对靶结构形式，溅射速率快，镀膜均匀质量好，适合对各种金属材料或非金属材料上的镀膜使用。

本实用新型之详细结构由以下实施例及附图给出。

图1为射频磁控溅射对靶装置结构原理图。

其结构如附图所示，1为靶体，2为屏蔽层，3为磁块，4为靶材，5为冷却水管，6为磁屏蔽，7为屏蔽层相对开口。

工作原理：在原直流溅射靶的基础上改变了原磁路设计方式，即在靶体内增加了磁屏蔽，使磁块上面的磁路闭合，下面与对面靶的磁块形成回路，并且保证靶间的距离与磁屏蔽尺寸为1∶20，把被镀膜金属物体放在两靶之间，金属物体分别与两靶形成回路，并分别对金属物体进行镀膜，以达到最佳镀膜状态。