[实用新型]光记录光盘的初始化装置

说明书

本实用新型涉及可将相变位光记录光盘或磁光盘初始化的装置，特别是一种具有特殊设计的机构及光学系统，可快速地将光记录材料初始化的初始化装置。

以相变位光记录光盘的初始化为例，目前已有商业化的相变位光记录光盘的典型结构，其由具有微细沟纹1.2或0.6厘米的PC基材、第一介电层、相变位光记录材料、第二介电层、镀铝反射层及紫外线硬化涂层组成。其中相变位光记录材料利用溅镀或其它镀膜程序镀膜后，由于目前通用的各种镀膜工序限制，此镀膜乃以非晶质的形态均匀镀在光盘基材上。经过镀层处理后的每一片相变位光记录光盘必须经过初始化程序，利用加热方式将相变化材料加热至超过摄氏200度以上的晶质化温度，使非晶质化的相变位光记录材料转变为晶质化形态，提高相变位光记录光盘的反射率，如此才能提供光学拾取头足够反射光强度，使光学拾取头的自动寻轨及自动对焦机制能正常运作，达到写入数据的目的。目前将相变位光记录材料由非晶质化状态转变为晶质化形态的方法有全域加热及局部加热两种方式。由于一般PC基材的玻璃温度均在摄氏150度至200度之间，因此全域加热方式无法应用于相变位光记录材料的初始化；至于局部加热方式，在不超过PC基材的玻璃温度且能在相变位光记录材料面上产生摄氏约200度以上温度，最佳的方式是利用高功率激光管，将高功率激光管经由高数值孔径的透镜将光束能量聚焦在相变位光记录材料面上，使记录材料层局部瞬间加热而达到初始化。此时由于聚焦光束投影在PC基材的面积比聚焦在相变位光记录材料层的光点大许多，投影在PC基材的光强度较低，所以当聚焦光束聚焦在相变位光记录材料层局部瞬间加热作初始化时，PC基材的温度仍可维持低于玻璃温度以下，不会有相变位光记录光盘变形翘曲的问题产生。

相变位光记录光盘的可擦试能力直接影响盘片的重复读写的次数，可擦试能力又与初始化条件直接相关，此所指的初始化条件特别指的是激光点在光盘的相变位光记录层对盘片每一位置局部加热，使光盘片上每个位置接收到同样的能量，使得晶质化的相变位光记录材料层的结晶颗粒具有一致性，即经初始化后的相变位光记录光盘具有一致的反射率，此时相变位光记录光盘的可擦试能量便可提高。而要提高相变位光记录光盘反射率的均匀度，主要的关键为初始化所使用高能量激光聚焦在相变位光记录材料的光点的大小及能量密度的变异度。在能量密度维持不变的情形之下，若聚焦在相变位光记录材料上的光点宽度愈宽，则可提高相变位光记录光盘的可擦试能力，而且初始化线速度也可相对提高，增加产量。

图1为习知的光记录光盘的初始化装置，此装置主要由单一旋转主轴103、线性位移平台102及包含自动对焦系统与初始化光源的光学头101所组成，光记录光盘104以真空吸附或其它机械固定方式被固定在旋转主轴103上一起转动，光学头101固定在线性位移平台102上，而且光学头101内的自动对焦系统与初始化光源均来自同一高功率激光管，部分激光光源用于自动对焦系统，其余的激光功率被聚焦后，在光记录材料层上形成约宽1微米长96微米的细长条光点，当线性位移平台102载着激光头沿着光记录光盘104的半径方向移动，配合自动对焦系统在光记录材料层维持一定大小光点及旋转主轴103的转动，达到光盘104初始化的目的。在此，习知技术的光学系统系在光记录材料层上形成如图2所示的约宽1微米长96微米的细长条光点201。此习知技术利用一对一对应的光学方式，将高功率激光管约宽1微米长100微米的发射开口，去掉100微米方向两端强度不均匀区后，直接成像聚焦在光记录材料层形成约宽1微米长96微米的细长条光点，此一作法因为有效聚焦深度较短，使得自动对焦系统及光点大小对于系统振动、光盘片轴向偏摆及其它外界扰动较为敏感，造成自动对焦不稳定及聚焦在光记录材料层光点的能量密度具有变异量，这些负面效应将直接降低初始化装置的初始化能力；另外，此习知技术的初始化与自动对焦光源均利用同一支高功率激光管，并整合在整个光学头中，由于一般的高功率激光管的寿命在2000至3000小时之间，当此一习知系统的运作时间超过激光管寿命期后，必需将含有自动对焦系统的激光头整组汰换掉，而无法只汰换高功率激光管，因此经济效益较低。再者，此习知技术采用单一旋转主轴，系统的初始化速度又将因主轴启动与停止时间而更为降低。

鉴于上述，本实用新型的目的就是提供一种相变位光记录光盘的初始化装置，它可提高相变位光或磁光记录光盘的初始化品质及速度。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：