[发明专利]电流驱动型发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及使用薄膜晶体管驱动有机场致发光(以下称为EL)显示元件等的电流发光元件的显示装置。特别涉及可抑制随时间劣化的薄膜晶体管驱动的电流驱动型发光显示装置及其制造方法。

(背景技术)

本发明的发明者详细调查了薄膜晶体管驱动有机EL显示元件。其结果如下。

(1)在薄膜晶体管驱动有机EL显示元件中，由于有机EL显示元件为直流电流元件，所以在为了控制它而串联接入的薄膜晶体管中也有直流电流流过。

(2)薄膜晶体管分类成n沟道型和p沟道型。所谓n沟道型和p沟道型，其随时间劣化的情况很不相同。

因此，本发明的目的在于，在由薄膜晶体管驱动的电流发光元件中，抑制薄膜晶体管随时间劣化。

(发明的公开)

(1)根据本发明第一方案的电流驱动型发光显示装置，该装置形成多根扫描线和多根数据线，与扫描线和数据线的各交点对应地形成薄膜晶体管和电流发光元件，其特征在于，薄膜晶体管中的至少一个是p沟道型薄膜晶体管。

按照第一方案，能够抑制薄膜晶体管的随时间劣化。

(2)根据本发明的第二方案的电流驱动型发光显示装置，该装置形成多根扫描线、多根数据线、公共电极和反向电极，对应于扫描线和数据线的各交点，形成第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、保持电容、像素电极和电流发光元件，所述第一薄膜晶体管通过扫描线的电位控制扫描线与保持电容的导通，所述第二薄膜晶体管通过保持电容的电位控制公共电极与像素电极的导通，控制流过位于像素电极和反向电极之间的所述电流发光元件的电流，此电流驱动型发光显示装置的特征在于，第二薄膜晶体管为p沟道型薄膜晶体管。

(3)根据本发明第三方案的电流驱动型发光显示装置，如第一方案或第二方案所述，在基板上形成所述多根扫描线、所述多根数据线、所述薄膜晶体管和所述电流发光元件，同时还形成用于驱动所述发光元件的驱动电路，其特征在于，用与形成所述驱动电路内的薄膜晶体管相同的工艺形成所述p沟道型薄膜晶体管。

(4)在方案1至方案3的任何一项方案所述的电流驱动型发光显示装置中，所述薄膜晶体管由多晶硅薄膜晶体管构成。

(5)根据本发明第五方案，构成第三方案所述的电流驱动型发光显示装置，其特征在于，所述驱动电路由互补型薄膜晶体管构成，用相同的工艺形成所述第一薄膜晶体管和所述驱动电路内的n沟道型薄膜晶体管，用相同的工艺形成所述第二薄膜晶体管和所述驱动电路内的p沟道型薄膜晶体管。

按照第五方案，能够不增加制造工艺，提供没有随时间劣化的高性能的电流驱动型发光显示装置。

(附图的简单说明)

图1是表示采用本发明的显示装置的基本结构的方框图。

图2是表示配有本发明实施例1的薄膜晶体管的显示元件的等效电路图。

图3是表示配有本发明实施例1的薄膜晶体管的显示元件的驱动电压图。

图4是表示本发明实施例1的电流薄膜晶体管的电流电压特性图。

图5是表示本发明实施例1的有机EL显示元件的电流电压特性图。

图6(a)表示配有本发明实施例1的薄膜晶体管的有机EL显示元件的剖面图，图6(b)表示配有本发明实施例1的薄膜晶体管的有机EL显示元件的平面图。

图7是表示配有本发明实施例2的薄膜晶体管的有机EL显示元件的等效电路图。

图8是表示配有本发明实施例2的薄膜晶体管的有机EL显示元件的驱动电压图。

图9是表示本发明实施例2的电流薄膜晶体管的电流电压特性图。

图10是表示本发明实施例2的有机EL显示元件的电流电压特性图。

图11(a)表示配有本发明实施例2的薄膜晶体管的有机EL显示元件的剖面图，图11(b)表示配有本发明实施例2的薄膜晶体管的有机EL显示元件的平面图。

图12是表示n沟道型薄膜晶体管的随时间劣化图。

图13是表示p沟道型薄膜晶体管的随时间劣化图。

图14是表示本发明薄膜晶体管驱动的有机EL显示元件的制造工艺的图。

(符号的说明)

111扫描线

112数据线

113公共线

114保持电极

115用Al形成的像素电极

116用ITO形成的反向电极

121开关薄膜晶体管

122n沟道型电流薄膜晶体管

123保持电容

131正向偏置有机EL显示元件

132孔穴注入层

133有机EL层