[发明专利]显示装置

权利要求书

1．一种显示装置，在基板上具有：多条扫描线，与该多条扫描线相交的多条数据线，多条公共供电线，由所述数据线和所述扫描线形成的矩阵状的像素；在所述各像素上具有：通过所述扫描线，扫描信号供给第1栅极的第1薄膜晶体管；通过该第1薄膜晶体管，保持由所述数据线供给的图像信号的维持电容；由该维持电容保持的所述图像信号供给第2栅极的第2薄膜晶体管；在由所述每个像素形成的像素电极和与该像素电极对置的对置电极之间所述像素电极通过第2薄膜晶体管电连接到所述公共供电线时通过在所述像素电极和所述对置电极之间流过的驱动电流发光的发光元件；其特征为：所述第2薄膜晶体管是N沟道型，所述公共供电线设定在比所述对置电极还低的电位。

2．一种显示装置，在基板上具有：多条扫描线，与该多条扫描线相交的多条数据线，多条公共供电线，由所述数据线和所述扫描线形成的矩阵状的像素；在所述各像素上具有：通过所述扫描线，扫描信号供给第1栅极的第1薄膜晶体管；通过该第1薄膜晶体管，保持由所述数据线供给的图像信号的维持电容；由该维持电容保持的所述图像信号供给第2栅极的第2薄膜晶体管；具有在由所述每个像素形成的像素电极和与该像素电极对置的对置电极之间所述像素电极通过第2薄膜晶体管电连接到所述公共供电线时通过在所述像素电极和所述对置电极之间流过的驱动电流发光的发光薄膜的发光元件；其特征为：所述第2薄膜晶体管是P沟道型，所述公共供电线设定在比所述对置电极还高的电位。

3．根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：对应处于点亮状态的像素，由所述数据线供给的图像信号电位与所述对置电极比较是低电位或等电位。

4．根据权利要求2所述的显示装置，其特征为：对应处于点亮状态的像素，由所述数据线供给的图像信号电位与所述电极电位比较是高电位或等电位。

5．根据权利要求1或3所述的显示装置，其特征为：对应处于熄灭状态的像素，由所述数据线供给的图像信号的电位与所述公共供电线的电位比较是高电位或等电位。

6．根据权利要求2或4所述的显示装置，其特征为：对应处于熄灭状态的像素，由所述数据线供给的图像信号的电位与所述公共供电线的电位比较是低电位或等电位。

7．根据权利要求1到6任一项所述的显示装置，其特征为：所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管是逆导电型的薄膜晶体管。

8．一种显示装置，在基板上具有：多条扫描线，与该多条扫描线相交的多条数据线，多条公共供电线，由所述数据线和所述扫描线形成的矩阵状的像素；在所述各像素上具有：通过所述扫描线，扫描信号供给第1栅极的第1薄膜晶体管；通过该第1薄膜晶体管，保持由所述数据线供给的图像信号的维持电容；由该维持电容保持的所述图像信号供给第2栅极的第2薄膜晶体管；具有在由所述每个像素形成的像素电极和与该像素电极对置的对置电极层间所述像素电极通过所述第2薄膜晶体管电连接到所述公共供电线时通过在所述像素电极和所述对置电极之间流过的驱动电流发光的发光薄膜的发光元件；其特征为：所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管是由相反导电型的薄膜晶体管构成。

9．根据权利要求8所述的显示装置，其特征为：加在处于熄灭状态像素的所述第2薄膜晶体管上的栅极电位与第2薄膜晶体管导通时的极性相同，并且其值不超越该第2薄膜晶体管的阈值电压。

10．根据权利要求9所述的显示装置，其特征为：所述第1薄膜晶体管是N沟道型，所述第2薄膜晶体管是P沟道型，所述第1薄膜晶体管导通状态时的扫描信号电位与公共供电线电位相等，并且在处于熄灭状态的像素的第2晶体管上所加栅极的电位是比由所述第1薄膜晶体管导通状态时的扫描信号减去该第1薄膜晶体管的阈值电压的电位还低的低电位。

11．根据权利要求9所述的显示装置，其特征为：所述第1薄膜晶体管是P沟道型，所述第2薄膜晶体管是N沟道型，所述第1薄膜晶体管导通状态时的扫描信号电位与公共供电线电位相等，并且在处于熄灭状态的像素的所述第2薄膜晶体管上所加的栅极电位是比由所述第1薄膜晶体管导通状态时的扫描信号加上该第1薄膜晶体管的阈值电压的电位还高的高电位。