[发明专利]电容器有效
| 申请号： | 98800504.2 | 申请日： | 1998-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1224529A | 公开（公告）日： | 1999-07-28 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G4/12;H01G4/008 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 | ||
【权利要求书】：
1、一种电容器包括一对电极和一种插在电极之间的介电物质，其特征在于电极之一是由烧结氮化铌所组成。
2、按照权利要求1所述电容器，其中在该烧结氮化铌中的结合氮含量在10至200,000ppm(重)的范围。
3、按照权利要求1或2所述电容器，其中介电物质是由氧化铌组成。
4、按照权利要求3所述电容器，其中由氧化铌组成的介电物质是通过在电解质中转化处理由烧结氮化铌组成的电极的方法，或使在由烧结氮化铌组成电极上的含铌络合物水解或热分解的方法，在由烧结氮化铌组成的电极上形成的。
5、按照权利要求1至4中任一项所述电容器，其中不是由烧结氮化铌组成的电极是选自电解质、有机半导体和无机半导体的至少一种成分。
6、按照权利要求1至4中任一项所述电容器，其中不是由烧结氮化铌所组成的电极是选自其导电率为10-2至103S/cm的有机半导体和无机半导体的至少一种成分。
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