[发明专利]制造多层磁头的方法无效
申请号: | 98800690.1 | 申请日: | 1998-03-05 |
公开(公告)号: | CN1226988A | 公开(公告)日: | 1999-08-25 |
发明(设计)人: | H·W·范科斯特伦 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王岳 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 多层 磁头 方法 | ||
1.一种制造磁头的方法,其中磁头的前端面在磁头和记录介质可相对运动的第一方向以及垂直于该第一方向的第二方向延伸,其组成包括第一磁通导向器、第二磁通导向器和由该两磁通导向器所界定的换能间隙,在该方法中磁头为多层结构,其中连续形成作为第一磁通导向器的第一导磁层,作为换能间隙的非磁性间隙层,作为第二磁通导向器的第二导磁层,其特征在于:
形成非磁性基层,
通过去除非磁性材料在该非磁性基层形成中空部分来结构化该基层,其中空部分的深度在所形成磁头的端面的第一方向延伸,壁部贯穿所形成磁头的端面,
在此结构化基层上形成第一导磁层,其在所形成磁头的端面的厚度小于该中空部分的深度,
在第一导磁层上形成非磁性中间层,
去除材料形成平面,该平面包括,在所形成磁头的端面,部分基层、部分第一导磁层和部分中间层,
在所述平面形成非磁性间隙层,
在所述间隙层上形成第二导磁层从而形成磁头端面。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于形成中空部分的非磁性材料以蚀刻方式除去。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于该基层的中空部分是以壁部和中空部分的底部相汇合的方式形成的。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于第一导磁层以溅射方式形成,从壁部测量溅射角在20°~70°之间。
5.根据权利要求1所述方法,其特征在于形成平面时采用机械化学抛光方式。
6.根据权利要求1所述方法,其特征在于换能元件在间隙层形成之后第二导磁层形成之前形成。
7.根据权利要求1所述方法,其特征在于换能元件在第一导磁层形成之后间隙层形成之前形成。
8.根据权利要求6或7所述方法,其特征在于绝缘层形成于换能元件形成之后,而随后所述绝缘层的一部分在将形成的换能间隙区除去,从而形成第二磁通导向器。
9.包含换能元件且是根据上述各权利要求之一所述方法获得的磁头。
10.根据权利要求9所述的磁头,其特征在于磁头的间隙长度在第一方向上,宽度在第二方向上,其长度比宽度至少小5倍。
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