[发明专利]设置在一种非导电基材上的电路结构,特别是细微电路结构及其制造方法

权利要求书

1.非导电基材上的电路结构，特别是细微电路结构，它是由一种含重金属的基体以及在该基体上涂敷的金属化层构成的，其特征在于：含重金属的基体含有通过非导电性有机重金属络合物破坏产生的重金属晶核，络合物分布在基材的整个微孔表面上，并在围绕电路结构的范围内构成电路的表面。

2.如权利要求1记载的电路结构，其特征在于：重金属络合物是一种含钯的重金属络合物。

3.如权利要求1记载的电路结构，其特征在于：重金属络合物是一种钯络合物。

4.如权利要求1记载的电路结构的制造方法，其中，在一种非导电基材上涂敷一种含重金属的组分涂层，在准备产生电路结构的部位用一种受激准分子激光器的紫外光射线进行选择照射，释放重金属晶核，并在该部位进行化学还原金属化处理，其特征在于：用一种非导电有机重金属络合物作为含重金属的组分，利用受激准分子激光器的紫外线照射，使重金属络合物破坏而分解重金属晶核，基材有一微孔表面。

5.如权利要求4记载的制造方法，其特征在于：使用一种含钯的重金属络合物。

6.如权利要求4记载的制造方法，其特征在于：使用一种钯-络合物。

7.如权利要求6记载的制造方法，其特征在于：通过钯盐与一种有机络合剂反应，生成钯-络合物。

8.如权利要求6和7记载的制造方法，其特征在于：通过双乙酸钯与一种有机络合剂反应，然后进行结晶，生成钯-络合物。

9.如权利要求8记载的制造方法，其特征在于：采用一种高稳定多官能、仅只含有多个配位原子例如N，O，S，P或者还含有离子化基如羟基-或羧基的螯合剂作为有机络合剂。

10.如权利要求8和9记载的制造方法，其特征在于：采用含位阻芳香族化合物和金属络合基团的分子结合物作为有机络合剂。

11.如权利要求8，9和10记载的制造方法，其特征在于：采用下列分子式的有机络合剂：

12.如权利要求4至11一项或多项记载的制造方法，其特征在于：将重金属络合物溶解于溶剂中涂敷在一种多孔基材或者有多孔表面的基材上。

13.如权利要求12记载的制造方法，其特征在于：将重金属络合物涂敷在聚酰亚胺薄膜上。

14.如权利要求6，12或13记载的制造方法，其特征在于：采用二甲基甲酰胺或醋酸乙酯作为钯-络合物的溶剂。

15.如权利要求4至11一项或多项记载的制造方法，其特征在于：将重金属络合物混入一种形成多孔结构的粘结剂中，然后涂在基材上作为涂层。

16.如权利要求4至15一项或多项记载的制造方法，其特征在于：将重金属晶核用波长为248nm的氪氟-受激准分子激光进行分解。