[发明专利]单晶SiC及其制造方法

权利要求书

1．一种单晶SiC，其特征在于：该单晶SiC是通过平整化的表面将SiC单晶基体材料和由Si原子及C原子构成的多晶片层叠起来构成复合体，并对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而长成的。

2．根据权利要求1所述的单晶SiC，其特征在于：形成上述复合体的SiC单晶基体材料是α-SiC单晶。

3．根据权利要求1所述的单晶SiC，其特征在于：形成上述复合体的多晶片是非晶片或β-SiC多晶片。

4．一种单晶SiC，其特征在于：该单晶SiC是通过将相邻侧面互相接触且排成一列的多个SiC单晶基体材料和由Si原子及C原子构成的多晶片层叠起来构成复合体，并对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而长成的。

5．根据权利要求4所述的单晶SiC，其特征在于：形成上述复合体的多个SiC单晶基体材料和上述多晶片是通过平整化的表面重叠起来的。

6．根据权利要求4所述的单晶SiC，其特征在于：形成上述复合体的多个SiC单晶基体材料都是α-SiC单晶。

7．根据权利要求4所述的单晶SiC，其特征在于：形成上述复合体的多晶片是在多个SiC单晶基体材料的表面上利用热化学蒸镀法形成膜而得到的非晶片或β-SiC多晶片。

8．一种单晶SiC的制造方法，其特征在于：

使SiC单晶基体材料和由Si原子及C原子构成的多晶片的至少一个表面平整化，通过这些表面将SiC单晶基体材料和多晶片重叠起来，然后，对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而长成单晶。

9．根据权利要求8所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：形成上述复合体的SiC单晶基体材料采用α-SiC单晶。

10．根据权利要求8所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：形成上述复合体的多晶片采用非晶片或β-SiC多晶片。

11．根据权利要求8所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：在1850℃以上的温度下以及在SiC饱和蒸汽压或其附近的气氛中进行上述热处理。

12．根据权利要求8所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：在2200～2400℃的温度范围内以及在SiC饱和蒸汽压或其附近的气氛中进行上述复合体的热处理。

13．一种单晶SiC的制造方法，其特征在于：

将相邻侧面互相接触且排成一列的多个SiC单晶基体材料和由Si原子及C原子构成的多晶片层叠起来，然后，对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而生成单晶。

14．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：使形成上述复合体的多个SiC单晶基体材料和上述多晶片的至少一个表面平整化，通过这些表面使上述SiC单晶基体材料和上述多晶片重叠起来。

15．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：形成上述复合体的SiC单晶基体材料采用α-SiC单晶。

16．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：上述侧面互相接触且排成一列的多个SiC单晶基体材料采用对复合体热处理后获得的单晶SiC。

17．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：形成上述复合体的多晶片采用在多个SiC单晶基体材料的表面上利用热化学蒸镀法成膜得到的非晶片或β-SiC多晶片。

18．根据权利要求17所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：利用1300～1900℃范围内的热化学蒸镀法在多个SiC单晶基体材料的表面上成膜得到上述非晶片或β-SiC多晶片。

19．根据权利要求17所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：上述复合体的热处理温度比形成非晶片或β-SiC多晶片时的热化学蒸镀温度高，而且在SiC饱和蒸汽压下进行处理。

20．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：在1850℃以上的温度下以及在SiC饱和蒸汽压或其附近的气氛中进行上述复合体的热处理。

21．根据权利要求13所述的单晶SiC的制造方法，其特征在于：在2200～2400℃的温度范围内以及在SiC饱和蒸汽压或其附近的气氛中进行上述复合体的热处理。