[发明专利]半导体晶片的制造方法、半导体芯片的制造方法及IC卡无效
| 申请号： | 98801006.2 | 申请日： | 1998-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1234908A | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 平井稔;上田茂幸;宫田修;堀尾友春 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B42D15/10;H01L21/60;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 芯片 ic | ||
1．一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括
将多个电路元件与基板做成一体的工序，
在与各所述电路元件导通的电极区上形成电极凸点的工序，
在所述基板规定位置上形成划线或划线标记的工序，以及
粘贴各向异性导电膜以覆盖所述各电极凸点及所述划线或划线标记的工序，
将形成各所述电极凸点的所述工序与形成划线或划线标记的所述工序同时地进行。
2．如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，
形成各所述电极凸点及所述划线或划线标记的所述工序包括
形成使各所述电极区的上面露出而保护各所述电路元件的绝缘层的工序，
在所述基板上的整个电路元件形成区域上形成阻挡金属层的工序，
形成使各所述电极区的形成区域相对应的部位及应该形成所述划线或划线标记的部位露出的光刻层的工序，
在未形成光刻层的部位形成金属层的工序，以及
将光刻层及阻挡金属层进行剥离处理的工序。
3．如权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，各所述电极凸点及所述划线或划线标记由金形成。
4．一种半导体晶片，其特征在于，包括
在规定位置上形成划线或划线标记并将多个电路元件做成一体的基板，
在与各所述电路元件导通的电极区上与所述划线或划线标记同时形成的电极凸点，以及
粘贴在所述基板上以覆盖各所述电极凸点及所述划线或划线标记的各向异性导电膜。
5．如权利要求4所述的半导体晶片，其特征在于，各所述电极凸点及所述划线或划线标记由金形成。
6．一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括
将多个电路元件与基板做成一体的工序，
在与各所述电路元件导通的电极区上形成电极凸点的工序，
在所述基板规定位置上形成划线或划线标记的工序，
粘贴各向异性导电膜以覆盖所述各电极凸点及所述划线或划线标记的工序，以及
将利用以上工序形成的半导体晶片以所述划线或划线标记作为标记分割成一个一个所述电路元件的工序，
将形成各所述电极凸点的所述工序与形成划线或划线标记的所述工序同时地进行。
7．如权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，
形成各所述电极凸点及所述划线或划线标记的所述工序包含
形成使各所述电极区的上面露出而保护各所述电路元件的绝缘层的工序，
在所述基板上的整个电路元件形成区域上形成阻挡金属层的工序，
形成使各所述电极区的形成区域相对应的部位及应该形成所述划线或划线标记的部位露出的光刻层的工序，
在未形成光刻层的部位形成金属层的工序，以及
将光刻层及阻挡金属进行剥离处理的工序。
8．如权利要求6所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，各所述电极凸点及所述划线或划线标记由金形成。
9．一种半导体芯片，其特征在于，是通过将半导体晶片以所述划线或所述划线标记为标记分割成一个一个所述电路元件而得，而所述半导体晶片包括：
在规定位置形成划线或划线标记并将多个电路元件做成一体的基板，
在与各所述电路元件导通的电极区上与所述划线或划线标记同时形成的电极凸点，以及
粘贴在所述基板上以覆盖各所述电极凸点及所述划线或划线标记的各向异性导电膜。
10．如权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，各所述电极凸点及所述划线或划线标记由金形成。
11．一种IC卡，其特征在于，
是将半导体芯片、安装该半导体芯片的绝缘基板、以及与所述半导体芯片连接的天线线圈埋入树脂制的卡内的IC卡，
所述半导体芯片是通过将半导体晶片以所述划线或划线标记为标记分割成一个一个所述电路元件而得，而所述半导体晶体包括：
在规定位置形成划线或划线标记并将多个电路元件做成一体的基板，
在与各所述电路元件导通的电极区上与所述划线或划线标记同时形成的电极凸点，以及
粘贴在所述基板上以覆盖各所述电极凸点及所述划线或划线标记的各向异性导电膜。
12．如权利要求11所述的IC卡，其特征在于，各所述电极凸点及所述划线或划线标记由金形成。
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