[发明专利]制备薄硅膜的方法

权利要求书

1、一种制备薄单晶膜的方法它包括下列步骤：

形成单晶衬底；

在衬底上、衬底内或邻近衬底处淀积或形成薄单晶硅膜，其晶向与衬底相同，并通过单晶膜或衬底提供大量的分散的蚀刻剂通道区；和

通过蚀刻剂通道区同时进行蚀刻而将单晶膜剥离，所需蚀刻的程度及进行剥离所需的蚀刻剂以不引起单晶膜显著退化为度。

2、权利要求1的方法，其中硅缓冲层外延生长或形成在衬底与单晶膜间，它与衬底有相同的晶向，其杂质浓度使之在所选蚀刻剂中具有比单晶膜或衬底快得多的蚀刻速率，该蚀刻剂通道区提供了对缓冲层的选择性蚀刻。

3、权利要求1的方法，其中硅的蚀刻停止层外延生长或形成在衬底或单晶膜上或其内，以确定蚀刻剂通道区，它具有与衬底相同的晶向，其杂质浓度使之在所选蚀刻剂中具有比硅衬底或单晶膜低得多的蚀刻速率。

4、权利要求1的方法，其中非硅材料的掩蔽层淀积在衬底上，并刻有图形以确定衬底上露出的附着区，该附着区至少有一维的尺寸小于相邻区域的间隔，膜则淀积在衬底的附着区上。

5、权利要求2的方法，其中非硅材料的掩蔽层淀积在衬底或缓冲层上，并刻有图形以确定衬底或缓冲层露出的附着区。

6、权利要求2的方法，其中缓冲层基本连续地形成或淀积在整个衬底表面上，单晶膜则淀积在缓冲层上，还要包括在单晶膜中形成蚀刻剂通道区的步骤。

7、权利要求5的方法，其中缓冲层形成或淀积在衬底上或衬底内，掩蔽层淀积在缓冲层上并刻有图形，单晶膜则淀积在缓冲层的附着区上，剥离单晶膜前先除去掩蔽层。

8、权利要求7的方法，其中单晶膜淀积在缓冲层上，淀积后在膜中留下的孔至少成为部分蚀刻剂通道区。

9、权利要求7的方法，其中还包括用化学汽相沉积来淀积单晶膜的步骤，以致在掩蔽层上淀积多晶硅，然后用蚀刻剂除去多晶硅，这种蚀刻剂不会严重蚀刻构成衬底、缓冲层和单晶膜的单晶层，除去多晶膜和掩蔽层就得到蚀刻剂通道区。

10、权利要求5的方法，其中掩蔽层淀积在衬底上并刻有图形，接着在附着区淀积缓冲层，而单晶膜则淀积在缓冲层上。

11、权利要求10的方法，其中在衬底中形成了大量的贯通整个衬底的孔，这些孔至少有一部分成为蚀刻剂通道区，只在衬底的上表面淀积掩蔽层以确定衬底上露出的附着区。

12、权利要求11的方法，其中所述的小孔是用反应性离子蚀刻或激光烧蚀形成的。

13、权利要求10的方法，其中所述的单晶膜淀积在缓冲层上，以使淀积后在膜中留下的孔至少有一部分成为蚀刻剂通道区。

14、权利要求10的方法，其中还包括用化学汽相沉积来淀积缓冲层和单晶膜的步骤，以致在掩蔽层上淀积多晶硅；然后用蚀刻剂除去多晶硅，这种蚀刻剂不会严重蚀刻构成衬底、缓冲层和单晶膜的单晶层，除去多晶膜和掩模层就得到蚀刻剂通道区。

15、权利要求6的方法，其中所述的蚀刻剂通道区是用反应性离子蚀刻或激光烧蚀形成的。

16、权利要求6的方法，其中衬底为(110)取向，蚀刻剂通道区是在单晶膜上淀积非硅材料的蚀刻保护层而形成的，保护层刻有图形以确定显露的单晶膜上的条形图案，条形都沿[1-1-2]方向，交错排列，用各向异性蚀刻剂通过条形区蚀刻单晶膜，在膜中产生扩展到缓冲层的槽，蚀刻保护层则防止层下的单晶膜被蚀刻。

17、权利要求16的方法，其中缓冲层是P型掺杂的，掺杂浓度约5×10¹⁹cm^-3，各向异性蚀刻剂是乙二胺邻苯二酚。

18、权利要求5，7，8，10，11，12或13的方法，其中衬底都是(100)取向的，附着区是由衬底上两组互相垂直的<110>方向的等间距条形区构成的，缓冲层和单晶膜是用液相外延生长的，得到高度织构表面，其晶面接近{111}晶面。

19、权利要求2，5，6，7，8，9，15，16或17的方法，其中缓冲层是由选择性掺杂衬底表面而形成的。

20、权利要求5，7，8，9，10，11，12，13，14或19的方法，其中附着区形成连续的网。