[发明专利]钝化金属化层的方法无效
| 申请号： | 98802009.2 | 申请日： | 1998-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1247486A | 公开（公告）日： | 2000-03-15 |
| 发明（设计）人： | 桑德拉·W·格雷汉姆 | 申请（专利权）人： | 塞米特公司 |
| 主分类号： | B08B6/00 | 分类号： | B08B6/00;B44C1/22;C09K13/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟,余刚 |
| 地址： | 美国蒙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 金属化 方法 | ||
1.一种从金属化的半导体晶片上除去残留物的溶液，该溶液包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液，这种NH4F有相当高浓度的CO2溶解在其中。
2.根据权利要求1所述的溶液，其中所述溶液已经用CO2鼓泡搅动过。
3.根据权利要求1所述的溶液，其中所述溶液基本上是CO2的饱和溶液。
4.一种冲洗半导体晶片的溶液，所述晶片在蚀刻半导体晶片的金属化层之后已经经过清除残留物的处理，其中所述溶液包括有相当高浓度的O3溶解在其中的去离子水。
5.根据权利要求4所述的溶液，所述溶液已经用O3鼓泡搅动过。
6.根据权利要求4所述的溶液，其中所述溶液基本上是CO2的饱和溶液。
7.一种清除蚀刻半导体晶片的金属化层产生的蚀刻残留物的方法，该方法包括：
将包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液的溶液施于该晶片，这种溶液包含溶解在其中的大量的CO2。
8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括在施加该溶液后从晶片清除该溶液的步骤。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属化层包括铝。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属化层包括铝合金。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述金属化层包括铝和铜的合金。
12.根据权利要求7所述的方法，其中所述溶液是CO2的饱和溶液。
13.一种清除蚀刻半导体晶片的金属化层产生的蚀刻残留物的方法，该方法包括：
将包括NH4F水溶液的溶液施于该晶片；以及
用有大量的O3溶解在其中的去离子水将该晶片上的所述溶液冲洗掉。
14.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中所述去离子水基本上是O3的饱和溶液。
15.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中所述溶液包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液。
16.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中所述溶液包括NH4F浓度至少为5×10-1M或更高的NH4F水溶液。
17.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中金属化层包括铝。
18.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中金属化层包括铝合金。
19.根据权利要求14所述的清除蚀刻残留物的方法，其中金属化层包括铝和铜的合金。
20.一种清除蚀刻半导体晶片的金属化层产生的蚀刻残留物的方法，该方法包括：
将包括含氟溶液施于该晶片；以及
用适合含氟溶液的溶剂将该晶片上的所述溶液冲洗掉，所述溶剂包含大量的溶解在其中的O3。
21.根据权利要求20所述的清除蚀刻残留物的方法，其中基于含氟化合物的溶液包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液。
22.根据权利要求20所述的清除蚀刻残留物的方法，其中基于含氟化合物的溶液包括NH4F浓度至少为5×10-1M或更高的NH4F水溶液。
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