[发明专利]静态随机存取存储器的位线负载和预充电结构

权利要求书

1.一种具有数行和数列存储器单元的存储器阵列，其特征在于，它包含：

用于选择所述数列存储器单元中的每一列存储器单元的位线，每一所述位线具有一个固有电容；以及

用来有选择地将所述存储器阵列中的所有所述位线相耦合的耦合装置。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述耦合装置用来有效地建立与所有所述位线的固有电容之和大体相似的等效电容。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，它还包含将每一所述位线与Vcc耦合的多个开关，所述开关是永久闭合的。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，每一所述开关是恒定处于开启状态的pmos晶体管。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述耦合装置包括多个开关，每一所述开关在相邻的位线之间相互耦合。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，每一所述开关形成一个响应于写入操作方式的结束的闭合连接。

7.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，预定个数的所述开关响应于不处于写入方式的所述存储器而恒定地处于闭合连接状态，而第二预定个数的所述开关响应于结束所述写入方式的所述存储器，在预定的时间内被置于闭合的连接状态。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器是一个静态随机存取存储器，所述数列存储器单元中的每列存储器单元可以通过真实的且互补的位线对来选择，

所述耦合装置包括第一组开关装置，该组开关装置有选择地将每一所述真实位线和互补位线对相耦合，所述第一开关装置响应于不处在写入方式下的所述存储器单元而闭合。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述耦合装置包括第二组开关装置，该组开关装置有选择地将第一列存储器单元中的互补位线与相邻的一列存储器单元中的真实位线相耦合。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，它还具有响应于写入方式的结束，用于产生具有预定持续时间的信号脉冲的装置，所述第二组开关装置响应于所述信号脉冲而闭合，所述第二开关装置的所述闭合用来在由所述信号脉冲确定的时间周期内使所述存储器阵列中的所有真实位线和互补位线有效地短接在一起。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一组开关装置是pmos晶体管，而所述第二组开关装置是pmos及nmos晶体管中的一种。

12.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述真实位线和互补位线中的每一个通过恒定处于开启状态的pmos晶体管永久地与Vcc耦合。

13.一种集成硅存储器阵列，其特征在于，它包含：

多个行和列的存储器单元；

用来访问每一列存储器单元的真实多个位线和互补位线对；

介于相邻数列的存储器单元之间的多个第一开关装置，每一所述第一开关装置用来有选择地将一列存储器单元中的互补位线与相邻的一列的存储器单元中的真实位线有效地相耦合。

14.如权利要求13所述的存储器阵列，其特征在于，它还具有响应于写入操作方式的结束，用于产生一脉冲信号的装置，每一所述第一开关装置响应于所述脉冲信号而闭合。

15.如权利要求14所述的存储器器阵列，其特征在于，每一所述第一开关装置是nmos和pmos晶体管中的一种。

16.如权利要求13所述的存储器阵列，其特征在于，它还具有一个第二开关装置，该开关装置与每一列存储器单元相关，并用来有选择地将数列各自的真实位线与互补位线对相耦合；以及

响应于处于读取方式的所述存储器阵列，用于产生一个读取方式信号的装置，每一所述第二开关装置响应于所述读取方式信号，用于将其相应的真实位线与互补位线对有效地相耦合。

17.如权利要求16所述的存储器阵列，其特征在于，每一所述第二开关装置是一个pmos晶体管。

18.如权利要求16所述的存储器阵列，其特征在于，每一所述真实位线和互补位线对还通过各自的pmos晶体管与一电源轨道(power rail)耦合，所述pmos晶体管处于永久开启状态。