[发明专利]半导体激光器元件

权利要求书

1.半导体激光器元件，该元件具有适于产生电磁辐射的、具有异质结构构造的半导体本体(13)，在该半导体本体中，在半导体衬底(8)上设置一个安排在第一导电类型的第一外覆盖层(7)和第一导电类型的第二外覆盖层(1)之间的、具有量子阱结构(5)的有源层序列，在其内部，当电流通过半导体本体(13)时，产生电磁辐射，

其特征在于，

作为载流子注入器，通过该注入器在内部电场内载流子被加速并且从而被高速注入有源区，在有源层序列和第二外覆盖层(1)之间如此设置一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第一高掺杂简并过渡层(3)，和设置一个第一导电类型的第二高掺杂简并过渡层(2)，即使得第二高掺杂简并过渡层(2)安排在第一高掺杂简并过渡层(3)和第二外覆盖层(1)之间。

2.按权利要求1的半导体激光器元件，

其特征在于，

简并过渡层(2、3)的厚度分别≥5nm和≤50nm。

3.按权利要求1或2的半导体激光器元件，

其特征在于，

在第一高掺杂简并过渡层(2)和第二高掺杂简并过渡层(3)之间安排一个与高掺杂简并过渡层(2、3)相比具有较低掺杂浓度的、任意导电类型的势垒层(10)，该层为电子提供一势垒。

4.按权利要求1至3之一的半导体激光器元件，

其特征在于，

在第一高掺杂简并过渡层(3)和有源层序列的量子阱结构(5)之间安排一个未掺杂的间距层(4)或者安排一个与过渡层(2、3)相比具有较低掺杂浓度的第二导电类型的间距层(4)。

5.按权利要求4的半导体激光器元件，

其特征在于，

在间距层(4)和第一高掺杂简并过渡层(3)之间安排一附加的第二导电类型的势垒层(10)，该势垒层提供一电子势垒。

6.按权利要求3或5的半导体激光器元件，

其特征在于，

势垒层(10)的厚度小于或等于200nm。

7.按权利要求4或5的半导体激光器元件，

其特征在于，

间距层(4)的厚度≥10nm和≤150nm。

8.按权利要求1至7之一的半导体激光器元件，

其特征在于，

在量子阱结构(5)和第一外覆盖层(7)之间安排第一波导层(6)并且在量子阱结构(5)和第二外覆盖层(1)之间安排第二波导层(14)。

9.按权利要求8的半导体激光器元件，

其特征在于，

第二波导层(14)由安排在量子阱结构(5)和第二外覆盖层(1)之间的各层(2、3、4；或2、3、4、10)所构成。

10.按权利要求9的半导体激光器元件，

其特征在于，

量子阱结构(5)、波导层(6、14)和覆盖层(1、7)具有III-V族半导体材料。

11.按权利要求1至10之一的半导体激光器元件，

其特征在于，

在简并过渡层(2、3)中掺杂物浓度≥10¹⁷cm^-3。