[发明专利]在同一衬底上制造异质结双极型晶体管和激光二极管无效
| 申请号： | 98802409.8 | 申请日： | 1998-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN1120522C | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | P·埃瓦尔德松;U·艾利森 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/22;H01L21/328;H01S5/32;H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同一 衬底 制造 异质结双极型 晶体管 激光二极管 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
