[发明专利]用于最小化半导体存储器存取时间的方法

权利要求书

1.借助一个电源电压发生器产生一个内部的电源电压来最小化关于半导体存储器数据的存取时间的方法，是利用下面的方法步骤来实现的：

-依赖于一个内部电源电压的给定值得出描述存取时间参数的值，

-增加电压的值是属于该参数所得到的值，依照参数值这个增加电压超过了半导体存储器内部电源电压的给定值并且在这种情况下存储器正好以完备的功能工作，

-这个内部电源电压被调整到增加电压值

2.根据权利要求1的方法，其特征是，半导体存储器的辅助电流被用做描述存取时间的参数。

3.根据权利要求1的方法，其特征是，在半导体存储器上的场效应管的起始电压被用做描述存取时间的参数。

4.根据权利要求1到3之一的方法，其特征是，一旦半导体存储器达到其功能就绪状态，在给半导体存储器施加一个外部电源电压以后这个描述存取时间的参数值就被得出。

5.根据权利要求1到3之一的方法，其特征是，描述存取时间的参数值在半导体存储器功能测试期间被得出。

6.根据权利要求1到3之一的方法，其特征是，给得到的参数值分配增加电压值是借助由实验确定的测量曲线来实现的。

7.根据权利要求1的方法，其特征是，内部电源电压被调整到增加电压值是通过电源电压发生器最少的熔断丝分离来实现。

8.根据权利要求3的方法，其特征是，内部电源电压被调整到增加电压值是通过电源电压发生器的控制借助于一个控制电路来实现，这个电源电压超过了场效应管的起始电压。

9.根据权利要求7的方法，其特征是，熔断丝的分离在时间上是和半导体存储器可能发生的常用熔断丝的分离并行实现的。

10.根据权利要求1或7之一的方法，其特征是，内部电源电压调整到增加电压值是逐级实现的。

11.根据权利要求10的方法，其特征是，实现了每级0.3V的调整。