[发明专利]相变型光记录介质及其制造方法和记录方法无效
申请号: | 98802922.7 | 申请日: | 1998-02-24 |
公开(公告)号: | CN1249056A | 公开(公告)日: | 2000-03-29 |
发明(设计)人: | 小川周一郎;森本勋;西村和浩;寺田正人 | 申请(专利权)人: | 旭化成工业株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/26;G11B7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相变 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
1.一种相变型光记录介质,该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层,该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小,其中:所述记录层形成为稳定非晶态。
2.如权利要求1所述的相变型光记录介质,其中:在衬底上依次包括多重反射层、第一介电层、记录层、第二介电层和反射层。
3.如权利要求1或2所述的相变型光记录介质,其中记录层的成分至少包含Ge、Sb和Te。
4.一种制造相变型光记录介质的方法,该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层,该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小,其中:以使记录层成为稳定非晶态的方式形成记录层。
5.如权利要求4所述的制造相变型光记录介质的方法,其中:在形成记录层时,将衬底温度设置为既能使记录层成为稳定非晶态但又低于记录层的结晶转变温度的温度。
6.如权利要求4所述的制造相变型光记录介质的方法,其中形成记录层时衬底温度为35~150℃。
7.如权利要求4所述的制造相变型光记录介质的方法,其中即将开始形成记录层时衬底温度为35~95℃。
8.一种相变型光记录介质的记录方法,该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层,该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小,其中:用如下方法进行记录,即,对记录层的整个表面预先不进行结晶化处理,并使记录标记成为非晶态,使除记录标记之外的其它区域成为晶态。
9.如权利要求8所述的相变型光记录介质的记录方法,其中:对于数据区之外的区域只照射其大小与读出光相当的光束,从而使数据区之外的区域总是保持在非晶态。
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