[发明专利]钽酸锶铋铌铁电薄膜

权利要求书

1.一种具有薄膜铁电材料(500)的电子器件(300，400)，所述薄膜铁电材料具有小于约6000的厚度，所述电子器件的特征在于，所述薄膜铁电材料包括：

具有经验化学式SrBi_2+E(Nb_XTa_2-X)O_9+3E/2的钽酸锶铋铌，式中E是代表范围从零至2的铋的超出剂量的数；及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数。

2.根据权利要求1的电子器件，其特征在于：所述薄膜铁电材料能够经受至少10¹⁰单向电压脉冲周期，每个脉冲具有范围为从3至5伏的幅值，及结果该材料具有小于20％的定义为Psn-Psu的痕迹。

3.根据权利要求1的电子器件，其特征在于：所述薄膜铁电材料能够经受至少10⁹单向电压脉冲周期，每个脉冲具有范围为从3至5伏的幅值，及结果该材料具有小于5％的定义为Psn-Psu的痕迹。

4.根据权利要求1的电子器件，其特征在于：X的范围为从0.4至0.8。

5.根据权利要求1的电子器件，其特征在于：X为0.56。

6.根据权利要求1的电子器件，包括一个集成电路存储器，及其中所述薄膜铁电材料形成所述集成电路存储器的一部分。

7.铁电存储单元(400)的操作方法，所述方法的特征在于包括以下步骤：

转换所述铁电存储单元内的薄膜铁电材料(500)中的极化状态，所述薄膜铁电材料是具有经验化学式为：SrBi_2+E(Nb_XTa_2-X)O_9+3E/2的钽酸锶铋铌，式中E是代表范围为从零至2的铋超出量的数；及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数，所述薄膜铁电材料具有小于约6000的厚度；

使第一极化状态中的所述薄膜铁电材料经受多个单向电压脉冲；及然后

使所述铁电材料转换到所述多个单向电压脉冲基本上不产生痕迹的第二极化状态。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于：所述使所述薄膜铁电材料经受多个单向电压脉冲的步骤包括使用至少10⁹个幅度范围从3至5伏的电压脉冲。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于：所述基本上无痕迹的第二极化状态具有小于百分之五的定义为Psn-Psu的痕迹值。

10.制造铁电存储器件(300，400)的方法，包括：对衬底(412)施加液体前体(P606)，干燥所述衬底上的所述液体前体以提供前体沉积物(P608)；在氧中对所述前体沉积物进行热处理(P612)以获得钽酸锶铋铌(500)；及完成所述铁电存储器件(P618)，其特征在于：对所述衬底施加所述液体前体的步骤包括以与钽酸锶铋铌的经验式SrBi_2+E(Nb_XTa_2-X)O_9+3E/2相应的成份比例施加具有锶、铋、铌及钽金属的液体前体，式中E是代表范围从零至2的铋的超出量；及X是代表范围为从0.01至0.9的铌剂量的数。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于：所述薄膜铁电材料能够经受至少10¹⁰单向电压脉冲周期，每个脉冲具有范围为从3至5伏的幅值，及结果该材料具有小于20％的定义为Psn-Psu的痕迹。

12.根据权利要求10的方法，其特征在于：所述薄膜铁电材料能够经受至少109单向电压脉冲周期，每个脉冲具有范围为从3至5伏的幅值，及结果该材料具有小于5％的定义为Psn-Psu的痕迹。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于：X的范围为从0.4至0.8。

14.根据权利要求12的方法，其特征在于：X为0.56。