[发明专利]用于超低电容互连的有空气隙的半导体装置的制造

权利要求书

1.在半导体结构中形成空隙的方法，包括以下步骤：

用牺牲材料占据半导体结构中封闭内体积；

使所述牺牲材料分解成一或多种气态分解产物；和

通过与所述内体积邻接的至少一个固体层除去所述一或多种气态分解产物至少之一；

其中所述牺牲材料分解在预先被所述牺牲材料占据的封闭内体积处留下空气隙，和所述牺牲材料包括降冰片烯型聚合物。

2.权利要求1的方法，其中所述至少一个固体层是介电材料，在不损害所述半导体结构的条件下所述一或多种气态分解产物至少之一可扩散通过所述介电材料。

3.权利要求1的方法，其中所述至少一个固体层是多孔介电材料，在不损害所述半导体结构的条件下所述一或多种气态分解产物至少之一可通过所述多孔介电材料中的孔。

4.权利要求1的方法，其中所述降冰片烯型聚合物包括以下通式的重复单元：

其中R¹和R⁴独立地代表氢或线性或支化的(C₁至C₂₀)烷基；R²和R³独立地代表氢、线性或支化的(C₁至C₂₀)烷基或以下基团：

R⁹独立地为氢、甲基或乙基；R¹⁰、R¹¹、和R¹²独立地代表线性或支化的(C₁至C₂₀)烷基、线性或支化的(C₁至C₂₀)烷氧基、线性或支化的(C₁至C₂₀)烷基酰氧基、线性或支化的(C₁至C₂₀)烷基过氧基、和取代或未取代的(C₆至C₂₀)芳氧基；m为0至4的数；和n为0至5的数；和取代基R²和R³至少之一选自式Ia所示甲硅烷基。

5.权利要求4的方法，其中R¹⁰、R¹¹、或R¹²至少之一选自线性或支化的(C₁至C₁₀)烷氧基和R⁹为氢。

6.权利要求5的方法，其中R¹⁰、R¹¹、和R¹²均相同，选自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、和戊氧基。

7.权利要求6的方法，其中n为0，R¹⁰、R¹¹、和R¹²均为乙氧基。

8.权利要求7的方法，其中R²或R³为三乙氧基甲硅烷基取代基。

9.权利要求1的方法，其中在式I中，m优选为0或1，分别由以下结构Ib和Ic表示：

其中R¹至R⁴如前面所定义，R²和R³至少之一为式Ia所示的甲硅烷基取代基。

10.权利要求1的方法，其中R¹和R⁴和与之相连的两个环碳原子一起包括以下结构式的重复单元：

其中B为亚甲基，q为2至6的数，R²和R³如前面所定义。