[发明专利]减小编程易变性的闪速存储器VDS补偿技术无效

专利信息
申请号: 98803865.X 申请日: 1998-01-28
公开(公告)号: CN1251683A 公开(公告)日: 2000-04-26
发明(设计)人: S·N·基尼 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,王忠忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 减小 编程 易变性 存储器 vds 补偿 技术
【权利要求书】:

1.一个非易失存储设备包括:

一个存储器阵列,其包括一根位线、一根源极线和一个具有连接到位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极的非易失存储单元;和

一个源极电压发生器电路,其连接到源极线并在编程非易失存储单元时产生一个源极线电压,其中源极电压发生器电路根据在存储器阵列中非易失存储单元的位置改变源极线电压。

2.权利要求1的非易失存储设备,其中源极线在非易失存储单元的源极与源极电压发生器电路之间具有一个源极线电阻,位线在一位线电压源与非易失存储单元的漏极之间具有一个位线电阻,同时源极电压发生器电路改变源极线电压以补偿源极线电阻和位线电阻。

3.权利要求1的非易失存储设备,还包括一个漏极电压发生器电路,其连接到位线并在编程非易失存储单元时产生一个位线电压,其中漏极电压发生器电路根据在存储器阵列中非易失存储单元的位置改变位线电压。

4.权利要求3的非易失存储设备,其中源极线在非易失存储单元的源极与源极电压发生器电路之间具有一个源极线电阻,位线在一位线电压与非易失存储单元的漏极之间具有一个位线电阻,源极电压发生器电路改变源极线电压以补偿源极线电阻、以及漏极电压发生器电路改变位线电压以补偿位线电阻。

5.权利要求3的非易失存储设备,还包括一个控制电路,其连接到源极电压发生器电路和漏极电压发生器电路,其中控制电路控制非易失存储单元的编程。

6.权利要求5的非易失存储设备,其中控制电路译码非易失存储单元的地址以产生一个第一值和一个第二值,其中控制电路将第一值连接到源极电压发生器电路,源极电压发生器电路根据第一值产生源极线电压,而其中控制电路将第二值连接至漏极电压发生器电路,漏极电压发生器电路根据第二值产生位线电压。

7.权利要求1的非易失存储设备,其中存储器阵列包括许多位线和许多非易失存储单元,每个具有连接到一根位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极,其中源极电压发生器电路根据同时被编程的许多存储单元的数目进一步改变源极线电压。

8.权利要求1的非易失存储设备,其中存储器阵列包括许多非易失存储块,每个包括一根位线,其中非易失存储单元被包括在所选的一个非易失存储块内,而其中源极电压发生器电路根据一个所选的非易失存储块的地址和在所选非易失存储块中的非易失存储单元的位置改变源极线电压。

9.权利要求8的非易失存储设备,还包括一个漏极电压发生器电路,其连接到位线并在编程非易失存储单元时产生一个位线电压,其中漏极电压发生器电路根据在所选非易失存储块中非易失存储单元的位置改变位线电压。

10.一个非易失存储设备包括:

一个存储器阵列,其包括一根位线、一根源极线和一个具有连接到位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极的非易失存储单元;和

一个漏极电压发生器电路,其连接到位线并在编程非易失存储单元时产生一个位线电压,其中漏极电压发生器电路根据在存储器阵列中非易失存储单元的位置改变位线电压。

11.权利要求1的非易失存储设备,其中源极线在非易失存储单元的源极与源极电压发生器电压之间具有一个源极线电阻,位线在一位线电压源与非易失存储单元的漏极之间具有一个位线电阻,以及漏极电压发生器电路改变位线电压以补偿源极线电阻和位线电阻。

12.一个非易失存储设备包括:

一个存储器阵列,其包括许多位线、一根源极线和许多非易失存储单元,每个具有连接到其中一根位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极;和

一个源极电压发生器电路,其连接到源极线并在编程其中一个非易失存储单元时产生一个源极线电压,其中源极电压发生器电路根据同时被编程的非易失存储单元的数目改变源极线电压。

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