[发明专利]用于加工检验半导体芯片用的具有多触点接头的卡的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有多接头的卡的方法，该卡用于在封装前检验一个或多个半导体芯片或集成电路，卡包括基底(10)，提供有以接头(26)的形式连接到触点的导电条的一个表面，所述方法的特征是包括以下步骤：

通过在真空中的气相沉积或阴极溅射在单片基底(10)的一个绝缘表面上沉积以薄金属层(22)，在进行薄金属层(22)的沉积之前进行硅基底(10)的各向异性蚀刻，所述蚀刻是非紧急的，形成了一个电触点连接点，

使用感光树脂，通过UV光刻操作的方法得到导电条，接着根据接头(26)的位置和形状蚀刻薄金属层(22)，

进行另一次UV光刻操作，包括在薄蚀刻的层上沉积感光树脂厚层(24)，然后树脂显现出接头(26)的图(25)，

通过金属离子槽，用电铸产生接头(26)，得到对应于图(25)形状的电铸衬垫，

剩余的树脂层(24)最终溶解在溶剂槽中，在单片基底(10)上得到最终完成的接头(26)。

2.如权利要求1所述的用于制造具有多接头的卡的方法，其特征在于基底(10)是由包括硅，砷化镓，玻璃或石英基的材料形成的。

3.如权利要求1所述的用于制造具有多接头的卡的方法，其特征在于基底(10)的蚀刻发生在第一UV光刻之后，包括穿过掩模(14)，产生前面沉积于基底(10)一表面上感光树脂(12)的一个局部绝缘层，各向异性蚀刻是通过将硅基底(10)浸没在氢氧化钾中实现的。

4.如权利要求1所述的用于制造具有多接头的卡的方法，其特征在于薄金属层(22)是由镍-，金-或铝基材料形成的。

5.如权利要求1所述的用于制造具有多接头的卡的方法，其特征在于接头(26)的电铸是在电流密度约为1A/dm²的镍槽中进行的。

6.一种用于检验半导体芯片的多接头卡，包括基底(10)，它是根据权利要求1至5之一所述的方法，能得到高密度的接头(26)，不同接头之间的间隙最大为100微米。

7.如权利要求6所述的多接头卡，其特征在于接头(26)的衬垫具有圆形或多边形截面。

8.如权利要求6或7所述的多接头卡，其特征在于每个接头(26)沉积在薄导电层(22)上，固定或不固定在基底(10)中。

9.如权利要求6或7所述的多接头卡，其特征在于基底(10)装配有阻尼材料(30)，置于薄导电层(22)下，与相应的接头(26)相对。