[发明专利]光电子半导体元件

权利要求书

1.光电子半导体元件，该元件具有一适用于产生电磁辐射的半导体本体(12)，在该本体中在半导体衬底(8)上设置一有源区(3)，在电流通过半导体本体(12)时在该有源区内产生电磁辐射，并且该有源区至少包含一个第一导电类型的难以掺杂的半导体层，尤其具有一种P型掺杂的ZnSe的II-VI半导体层，具有一种P型掺杂的GaN的III-V半导体层或具有一n型掺杂的CdTe的II-VI半导体层，

其特征在于，

作为电荷载流子源，在难以掺杂的半导体层和一个从属于此层的半导体本体的接触层(9)之间安置一反向极性的层序列，该层序列具有第一导电类型的第一高掺杂简并过渡层(6)和一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第二高掺杂简并过渡层(7)，其中第一高掺杂简并过渡层(6)位于难以掺杂的半导体层和第二高掺杂简并过渡层(7)之间。

2.按照权利要求1的光电半导体元件，

其特征在于，

有源区(3)具有一安置在第一波导层(4)和第二波导层(2)之间的量子阱结构。

3.按照权利要求2的光电半导体元件，

其特征在于，

有源区(3)以及第一和第二波导层(2、4)安置在第一外罩层(5)和第二外罩层(1)之间。

4.按照权利要求3的光电半导体元件，

其特征在于，

第二外罩层(1)具有第二导电类型并且第一外罩层(5)具有难以掺杂的半导体层，以及第一高掺杂简并过渡层(6)和第二高掺杂简并过渡层(7)安置在第二外罩层(5)和从属于此层的半导体本体(12)的接触层(9)之间。

5.按照权利要求3的光电半导体元件，

其特征在于，

第一外罩层(5)和第二外罩层(1)具有第二导电类型，以及在两个波导层(2，4)之一和从有源区(3)看安置在此层之后的外罩层(1、5)之间安置难以掺杂的半导体层(11)、第一高掺杂简并过渡层(6)和第二高掺杂简并过渡层(7)。

6.按照权利要求3的光电半导体元件，

其特征在于，

第一外罩层(5)和第二外罩层(1)具有第二导电类型，在两个波导层(2、4)之一上淀积第一高掺杂简并过渡层(6)和在此层上淀积第二高掺杂简并过渡层(7)，以及从有源区(3)看在此层之后安置外罩层(1、5)之一。

7.按照权利要求1至6其中之一的光电半导体元件，

其特征在于，

难以掺杂的半导体层具有一种具有P型掺杂的ZnSe，尤其是ZnMgSSe或BeMgZnSe的II-VI半导体层。

8.按照权利要求1至7其中之一的光电半导体元件，

其特征在于，

有源区(3)具有含铍硫属化物组或Zn1-xCdxSySe1-y组构成的半导体材料。

9.按照权利要求2至6其中之一或按照权利要求2至6其中之一和权利要求7或8的光电半导体元件，

其特征在于

第一波导层(4)和第二波导层(2)具有含铍硫属化物组构成的半导体材料。

10.按照权利要求3至6其中之一或按照权利要求3至6其中之一和权利要求7、8或9的光电半导体元件，

其特征在于

第一外罩层(5)和第二外罩层(1)具有含铍硫属化物组构成的半导体材料。

11.按照权利要求1至10其中之一的光电半导体元件，

其特征在于，

第一高掺杂简并过渡层(6)是一P⁺导电的过渡层，并且据有Be、Te尤其是BeMgZnTe或BeZnCdTe。

12.按照权利要求11的光电半导体元件，

其特征在于，

P⁺导电的过渡层(6)用取自As、Sb、P、K、Rb、Cs、C、Si、Ge和Sn组的掺杂物掺杂。

13.按照权利要求3至6其中之一或按照权利要求3至6其中之一和权利要求7至12其中之一的光电半导体元件，

其特征在于，

两个罩层(1、4)之间的距离在约100nm和约400nm之间，并且第一罩层(5)和第二罩层(1)分别具有至少200nm的厚度。