[发明专利]二羧酸结晶有效
| 申请号： | 98804115.4 | 申请日： | 1998-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1093115C | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | M·劳尔斯;D·鲍曼;H·维斯图巴;B·奥托 | 申请（专利权）人： | BASF公司 |
| 主分类号： | C07C51/50 | 分类号： | C07C51/50;C07C51/43;C07C55/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝,温宏艳 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二羧酸 结晶 | ||
1.从含有至少一种有机二羧酸的溶液制备二羧酸结晶的方法，其特征在于，在结晶之前或结晶过程中，向溶液中加入至少一种分子量为2,000-2,000,000的阴离子高分子电解质，加入的量为0.01-200ppm。
2.权利要求1的方法，其中，作为至少一种阴离子高分子电解质加入的是从丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸或中康酸单体制备的聚合物，或从这些单体中的两种或多种制得的共聚物，或从这些单体中的至少一种和至少一种不含羧基的其它单体制得的共聚物，或这些聚合物或共聚物中的两种或多种的混合物。
3.权利要求1的方法，其中，所述的至少一种阴离子高分子电解质的分子量为20,000-2,000,000。
4.权利要求2的方法，其中，所述的至少一种阴离子高分子电解质的分子量为20,000-2,000,000。
5.权利要求3的方法，其中，所述的至少一种阴离子高分子电解质的分子量为100,000-500,000。
6.权利要求4的方法，其中，所述的至少一种阴离子高分子电解质的分子量为100,000-500,000。
7.权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中，用作至少一种阴离子高分子电解质的是分子量为250,000的聚丙烯酸。
8.权利要求1-6中任意一项所述的方法，其特征在于，所述的至少一种阴离子高分子电解质的用量为0.1-150ppm。
9.权利要求1-6中任意一项所述的方法，其中所用的二羧酸是己二酸。
10.分子量为2,000-2,000,000的至少一种阴离子高分子电解质在制备二羧酸结晶中的用途。
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