[发明专利]现场吸气泵系统和方法无效
申请号: | 98804253.3 | 申请日: | 1998-04-15 |
公开(公告)号: | CN1252844A | 公开(公告)日: | 2000-05-10 |
发明(设计)人: | 达西H·洛里默;戈登P·克吕格尔 | 申请(专利权)人: | 赛斯纯净气体公司 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C16/00;F04B37/02;H01J9/39 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 现场 吸气 系统 方法 | ||
1、一种晶片处理系统,包括:
传送腔室;
由包括有分子泵、离子泵、低温泵和涡轮泵的组中选择的低压泵,所述低压泵被耦合到所述传送腔室;
配置在所述传送腔室的现场吸气泵,其中所述吸气泵包括有吸气组件和被配置接近于所述吸气组件以使所述吸气组件能被加热的加热器;
配置于接近所述吸气泵的温度传感器;和
耦合到所述温度传感器和运行来有选择地控制所述加热器的温度的控制器。
2、权利要求1中所述晶片处理系统,其特征是还包括耦合到所述传送腔室的机械泵。
3、权利要求1中所述晶片处理系统,其特征是由所述控制器控制的所述吸气组件的第一温度被选择来泵唧除氢外的至少一种非惰性气体,和所述吸气组件的第二温度被选择来泵唧氢。
4、权利要求3中所述晶片处理系统,其特征是所述加热器还能将所述吸气组件加热到一第三温度以再生所述组件。
5、权利要求3中所述晶片处理系统,其特征所述吸气剂包括Zr-Al,和所述第一温度在300~400℃的范围内,所述第二温度在25~100℃的范围内。
6、权利要求1中所述晶片处理系统,其特征是所述吸气泵包括有多个吸气组件。
7、权利要求6中所述晶片处理系统,其特征是所述多个吸气组件主要包括有相同类型的吸气剂。
8、权利要求6中所述晶片处理系统,其特征是至少二个所述吸气组件包括有至少二不同类型的吸气剂。
9、权利要求6中所述晶片处理系统,其特征是所述吸气泵包括有与相应数量的所述吸气组件相关联的多个加热器来控制所述相应数量吸气组件的温度。
10、晶片处理系统,包括:
传送腔室;
被配置在所述传送腔室内和设置有加热器的现场吸气泵系统,以使所述泵系统能运行在不只一个温度下,使得不同的非惰性气体能在不同温度时被优先泵唧;和
用于传送晶片进出所述传送腔室的机器人传送臂。
11、权利要求10中所述晶片处理系统,其特征是还包括:
耦合到所述腔室的气体分析器;和
具有耦合到所述气体分析器的输入和耦合到所述加热器的输出的控制器,
据此根据所述腔室内混合气体的分析来控制所述温度。
12、权利要求11中所述晶片处理系统,其特征是选择第一温度来泵唧除氢外的至少一种非惰性气体,和选择第二温度来泵唧氢。
13、权利要求12中所述晶片处理系统,其特征是所述吸气剂包括Zr-Al,和所述第一温度在300~400℃的范围内,所述第二温度在25~100℃的范围内。
14、权利要求10中所述晶片处理系统,其特征是所述泵系统设置有多个吸气组件,其中每一个均与一加热器相关联,以便所述多个吸气组件的温度能加以控制。
15、权利要求10中所述晶片处理系统,其特征是还包括:
耦合到所述腔室的气体分析器;和
具有耦合到所述气体分析器的输入和耦合到所述多个加热器的输出的控制器,
据此所述吸气组件的所述温度根据所述腔室内混合气体的分析而加以控制。
16、处理系统,包括:
可密封的机壳;和
被置于所述机壳内的具有吸气剂的、能在不只一个温度下运行的现场吸气泵系统,使得在当所述机壳被密封时能在不同温度下泵唧不同的非惰性气体。
17、权利要求16中所述处理系统,其特征是所述现场吸气泵包括有加热器,和选择第一温度来泵唧除氢外的至少一种非惰性气体,选择第二温度来泵唧氢。
18.权利要求17中所述处理系统,其特征是还包括:
耦合到所述腔室的气体分析器;和
具有耦合到所述气体分析器的输入和耦合到所述加热器的输出的控制器,
据此所述温度由所述加热器根据所述腔室内混合气体的分析加以控制。
19.权利要求18中所述处理系统,其特征是所述泵系统包括有多个吸气组件,其中至少二个所述吸气组件可被所述加热器保持在不同的温度。
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