[发明专利]非对称辐射探测系统

权利要求书

1.一种非对称辐射探测系统，包括：

一个半导体二极管，该二极管具有在二极管外周缘处的外电极；和

位于该二极管内一个位置处的内电极，其中内电极和外电极上各点之间的每条最短路径的长度不同，用以产生与该二极管内发生的辐射探测事件的方位角和径向位置唯一对应的上升时间。

2.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述半导体二极管是锗。

3.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述半导体二极管是N-型或P-型锗。

4.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述外电极是不被分段的和连续的。

5.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极是中空的。

6.如权利要求5所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极是不被分段的和连续的。

7.如权利要求5所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极为环形截面。

8.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述外电极为环形截面。

9.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极的纵轴一般是平行的。

10.如权利要求9所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极是共轴的。

11.如权利要求8所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极是互相偏心的。

12.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述外电极是非对称的。

13.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极是非对称的。

14.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极都是对称的，并且它们的对称轴是不一致的。

15.如权利要求1所述的非对称辐射探测系统，还包括一个脉冲上升时间分析装置，响应一个脉冲的脉冲上升时间，所述上升时间用于确定产生该脉冲之辐射事件的方位角和径向位置。

16.如权利要求15所述的非对称辐射探测系统，其中所述脉冲上升时间分析装置包含用于确定脉冲上升时间响应在所述电极之间产生空穴电子流之探测事件的路径长度的部件，所述上升时间用于确定该事件在二极管中的方位角位置。

17.如权利要求15所述的非对称辐射探测系统，其中所述脉冲上升时间分析装置包含用于确定与探测事件所产生的每个空穴及电子的电荷相关的脉冲上升时间的部件，所述上升时间用于确定二极管中该事件的径向位置。

18.一种非对称辐射探测系统，包括

一个对称的半导体二极管，该二极管包含在二极管外周缘处相应对称的外电极；

置于该二极管内的对称内电极；

至少有一个分段，用以将所述二极管分成若干个非对称的部分，内电极和与所述部分相关的外电极上的各点间的每条最短路径的长度不同，用以产生与二极管内发生之辐射事件的方位角和径向位置唯一对应的脉冲上升时间。

19.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述半导体二极管是锗。

20.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述半导体二极管是N-型或P-型锗。

21.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述外电极是不被分段的和连续的。

22.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极是中空的。

23.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极是不被分段的和连续的。

24.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述内电极为环形截面。

25.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述外电极为环形截面。

26.如权利要求18所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极的纵轴一般是平行的。

27.如权利要求26所述的非对称辐射探测系统，其中所述内、外电极是共轴的。