[发明专利]碳膜生长工艺

权利要求书

1.场发射器件的制造方法，它包含下列步骤：

提供衬底；

处理所述衬底以便修正所述衬底的形貌；以及

在所述处理过的衬底上生长碳膜。

2.权利要求1所述的方法，其中只有一部分所述衬底经受所述处理步骤，且其中与在所述衬底的未处理过的部分上生长的碳膜相比，在所述处理过的衬底上生长的所述碳膜是更好的场发射体。

3.权利要求2所述的方法，其中与所述未处理过的衬底上的所述碳膜相比，在所述衬底的所述处理过的部分上生长的所述碳膜，在经受特定电场时发射明显更多的电子。

4.权利要求1所述的方法，其中所述衬底用碱进行处理，其中所述处理步骤改变所述衬底的所述表面的化学组分。

5.权利要求1所述的方法，其中所述衬底用酸进行处理。

6.权利要求5所述的方法，其中所述衬底是陶瓷。

7.权利要求5所述的方法，其中所述衬底是金属。

8.权利要求5所述的方法，其中所述衬底是玻璃。

9.权利要求1所述的方法，还包含在所述衬底上执行声处理的步骤。

10.权利要求3所述的方法，其中所述衬底不经受声处理步骤。

11.权利要求1所述的方法，还包含下列步骤：

在所述衬底上淀积金属层，所述金属层具有预定的图形，致使通过所述金属层可以看到部分所述衬底，其中所述淀积步骤在所述生长步骤之前执行。

12.权利要求11所述的方法，其中生长所述碳膜的所述步骤还在所述金属层上淀积所述碳膜，其中所述碳膜是连续膜。

13.权利要求11所述的方法，其中在所述衬底上淀积所述金属层的所述步骤还包含下列步骤：

在所述衬底上淀积所述金属层；

用光刻方法对所述金属层进行图形化；以及

对所述金属层进行腐蚀以产生所述预定的图形。

14.一种用下列步骤制造的场发射器件：

提供衬底；

处理所述衬底以便修正所述衬底的形貌；以及

在所述处理过的衬底上生长碳膜，其中只有一部分所述衬底经受所述处理步骤，且其中与在所述衬底的未处理过的部分上生长的碳膜相比，在所述处理过的衬底上生长的所述碳膜是更好的场发射体，其中与所述未处理过的衬底上的碳膜相比，在所述衬底的所述处理过的部分上生长的所述碳膜，在经受特定电场时发射明显更多的电子。

15.权利要求14所述的器件，其中所述衬底用酸进行处理。

16.权利要求15所述的器件，其中所述衬底是陶瓷。

17.一种淀积碳膜的方法，它包含下列步骤：

在衬底上淀积金属层，所述金属层具有预定的图形，致使通过所述金属层可以看到部分所述衬底；以及

在所述衬底的所述部分上淀积所述碳膜。

18.权利要求17所述的方法，其中淀积所述碳膜的所述步骤也在所述金属层上淀积所述碳膜。    

19.权利要求18所述的方法，其中所述碳膜是连续膜。

20.权利要求17所述的方法，其中在所述衬底上淀积所述金属层的所述步骤还包含下列步骤：

在所述衬底上淀积所述金属层；    

用光刻方法对所述金属层进行图形化；以及

对所述金属层进行腐蚀以产生所述预定的图形。

21.权利要求20所述的方法，其中所述腐蚀步骤在所述衬底的所述部分处，使所述衬底的表面变粗糙。

22.权利要求21所述的方法，其中所述衬底是类陶瓷材料。

23.权利要求17所述的方法，其中在所述衬底上淀积所述金属层的所述步骤还包含下列步骤：

腐蚀所述衬底，其中所述腐蚀步骤改变所述衬底的所述部分的所述表面的化学组分；以及

通过产生所述预定图形的掩模，在所述衬底上淀积所述金属层。

24.权利要求23所述的方法，其中所述腐蚀步骤使所述衬底的表面变粗糙。

25.权利要求20所述的方法，其中所述腐蚀步骤改变所述衬底的所述部分的所述表面的化学组分。