[发明专利]光电子半导体元件

权利要求书

1.光电子元件，具有至少一个适于产生电磁辐射(22)的半导体本体(24)，

其中在半导体衬底(12)上设置至少一有源区(1)，

在该有源区内当电流通过半导体本体(24)时产生电磁辐射(22)和

该有源区设置在至少一个第一镜面层(2)和至少一个第二镜面层(3)之间，

其特征在于，

第一镜面层(2)和第二镜面层(3)具有第一导电类型的半导体材料，并且在有源区(1)与两个镜面层(2、3)之一之间设置至少一个第一导电类型的第一高掺杂过渡层(11)和至少一个第二导电类型的第二高掺杂过渡层(10)，并且是如此设置的，使得第二高掺杂简并过渡层(10)位于有源区(1)和第一高掺杂简并过渡层(11)之间。

2.按权利要求1的光电子元件

其特征在于，

第一高掺杂过渡层(11)和第二高掺杂过渡层(10)具有简并的半导体材料。

3.按权利要求2的光电子元件，

其特征在于，

第一高掺杂过渡层(11)和第二高掺杂过渡层(10)中的掺杂材料浓度为＞1×10¹⁷cm^-3。

4.按权利要求1至3之一的光电子元件，

其特征在于，

第一镜面层(2)和第二镜面层(3)构成为布拉格反射器层。

5.按权利要求1至4之一的光电子元件，

其特征在于，

镜面层(2、3)是n型导电或p型导电掺杂的。

6.按权利要求1至5之一的光电子元件，

其特征在于，

一个由第一高掺杂过渡层(11)和第二高掺杂过渡层(10)构成的pn结是如此设置的，使得该pn结在元件工作时是反向偏置的。

7.按权利要求1至6之一的光电子元件，

其特征在于，

两个镜面层(2、3)之一具有比另一镜面层较低的反射率，并且给具有较低反射率的镜面层(2、3)配置一至少让一部分电磁辐射(22)通过的接触层(20、21)，并且是如此配置的，使得电磁辐射(22)主要通过具有较低反射率的镜面层(2、3)，并且是可通过接触层(20、21)耦合出的。

8.按权利要求1至7之一的光电子元件，

其特征在于，

辐射(22)在半导体本体(24)的与衬底(12)相对的一侧通过一透明的或设置出口(23)的接触(20)耦合出。

9.按权利要求1至7之一的光电子元件，

其特征在于，

辐射(22)通过一透明的衬底(12)和一透明的或设置出口(23)的接触(21)或通过衬底(12)中的一凹槽(23)由半导体本体(24)耦合出。

10.按权利要求1至9之一的光电子元件，

其特征在于，

在半导体本体制造过程中至少单片地制备镜面层(2、3)的其中之一。

11.按权利要求1至9之一的光电子元件，

其特征在于，

在制造半导体本体(24)之后，用混合技术制备至少镜面层(2、3)其中之一。