[发明专利]用于磁记录介质的含锰层无效
申请号: | 98806261.5 | 申请日: | 1998-04-22 |
公开(公告)号: | CN1260899A | 公开(公告)日: | 2000-07-19 |
发明(设计)人: | D·N·林贝斯;L·-L·李;D·E·劳克林 | 申请(专利权)人: | 卡内基梅隆大学 |
主分类号: | G11B5/64 | 分类号: | G11B5/64 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,张志醒 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 记录 介质 含锰层 | ||
1.一种磁记录介质包括:
一衬底;
一形成磁性记录层的Co或Co合金膜;
一由配置在所述衬底和所述磁性层之间的Mn或固溶体Mn合金构成的以在所述磁性层中提供外延晶体结构的含Mn层。
2.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述磁性层具有使磁性c轴基本平行于所述磁性层的取向。
3.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述含Mn层以有效的数量来配置以提供Mn向所述磁性层的扩散。
4.如权利要求3所述的记录介质,其特征在于:
所述磁性层包括具有晶界的晶粒;及
所述含Mn层以有效的数量被配置来提供Mn向所述磁性层的晶界的扩散。
5.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述固溶体Mn合金包括从CrMn、VMn,TiMn,MnZn,CrMnMo,CrMnW,CrMnV和CrMnTi组成的一组中选择的材料。
6.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述固溶体Mn合金包括CrMn。
7.如权利要求6所述的记录介质,其特征在于所述CrMn合金由少于28at%的Mn构成。
8.如权利要求6所述的记录介质,其特征在于所述CrMn层至少3nm厚。
9.如权利要求6所述的记录介质,其特征在于所述CrMn层由10-25at%的Mn构成。
10.如权利要求9所述的记录介质,其特征在于所述CrMn层3-100nm厚。
11.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述含Mn层至少3nm厚。
12.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于所述磁性层由从CoCrPt合金和CoCrTa合金组成的一组中选择的材料构成。
13.如权利要求1所述的记录介质,还包括在所述衬底上沉积的一籽晶层。
14.如权利要求13所述的记录介质,其特征在于所述籽晶层由从具有(002)结构的MgO、Cr、CrTi组成的一组中选择的材料构成。
15.如权利要求13所述的记录介质,其特征在于所述籽晶层由从Ti、TiCr和Pt组成的一组中选择的材料构成。
16.如权利要求1所述的记录介质,还包括一配置在所述衬底和所述由选择的促进在所述磁性层中的外延晶体结构的材料构成的含Mn层之间的底层。
17.如权利要求16所述的记录介质,其特征在于所述底层由从Cr、Cr合金和具有B2有序排列的结构的和基本上与Cr相比拟的晶格常数的材料组成的一组中选择的材料构成。
18.如权利要求16所述的记录介质,其特征在于所述底层由从Cr、CrV、CrMo、CrW、CrTi、NiAl、AlCo、FeAl、FeTi、CoFe、CoTi、CoHf、CoZr、NiTi、CuBe、CuZn、AlMn、AlRe、AgMg和Al2FeMn2组成的一组中选择的材料构成。
19.如权利要求16所述的记录介质,还包括大量由两种或多种所述材料构成的底层。
20.如权利要求1所述的记录介质,还包括一配置在所述衬底与所述由选择的促进在所述磁性层中的外延晶体结构的材料构成的的含Mn层之间的中间层。
21.如权利要求20所述的记录介质,其特征在于所述中间层由从Cr、Cr合金和具有B2有序排列的结构的和基本上与Cr相比拟的晶格常数的材料组成的一组中选出的材料构成。
22.如权利要求20所述的记录介质,其特征在于所述中间层由从Cr、CrV、CrMo、CrW、CrTi、NiAl、AlCo、FeAl、FeTi、CoFe、CoTi、CoHf、CoZr、NiTi、CuBe、CuZn、AlMn、AlRe、AgMg和Al2FeMn2组成的一组中选择的材料构成。
23.如权利要求1所述的记录介质,其特征在于还包括一第二磁性层,其特征在于所述磁性层位于所述第二磁性层和所述衬底之间。
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