[发明专利]在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置

权利要求书

1、一种通过在一盘形半导体的两对置顶面之间生成一温度梯度和在较冷顶面上施加一导电掺杂物质用热迁移在该半导体中生成导电通道的工艺，

其特征在于，按照一给定加热曲线把该半导体(10)的一顶面均匀加热到热迁移工艺的一给定工作温度后按照一给定冷却曲线冷却到一取出温度；该半导体(10)的另一顶面均匀冷却。

2、按权利要求1所述的工艺，其特征在于，热迁移工艺的该工作温度在给定时间中保持不变。

3、按权利要求1所述的工艺，其特征在于，该半导体(10)放置在一封闭系统(2、3)中，该封闭系统中充满最好具有良好传热性的惰性气体、特别是氢气或氦气。

4、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)的待加热顶面与一热源(6)正对，半导体(10)的待冷却顶面与一冷却装置(11)正对；半导体(10)的待加热顶面与热源(6)之间的距离和/或半导体(10)的待冷却顶面与冷却装置(11)之间的距离可变。

5、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，输入半导体(10)中的热量的总效率和输入半导体(10)的待加热顶面上的热量的效率分布可控制。

6、按权利要求5所述的工艺，其特征在于，热辐射的总效率和/或效率分布根据在半导体(10)上至少一个温度测量点上测得的温度加以调节。

7、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)既可在热源与冷却装置之间平面中、又可在与该平面垂直的平面中移动。

8、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)的两顶面位于互相隔开的两区域中。

9、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，热辐射垂直照射到半导体(10)的待加热顶面上。

10、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)放置在一样本活塞(3)上，该样本活塞可在至少一个平面中移动，从而该样本活塞(3)在一装载位置与一辐射位置之间移动。

11、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)的温度用一光导测量通道(9)上的一高温测量装置(7)以非接触方式测量。

12、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)用每单位时间给定温升加热到热迁移工艺的工作温度，然后降低热辐射而冷却到设定温度或设定温度场，然后在给定时间中自由冷却到取出温度。

13、按权利要求12所述的工艺，其特征在于，按照一斜线函数加热和冷却半导体(10)。

14、按权利要求13所述的工艺，其特征在于，温度的增加和温度的下降小于或等于30°K/秒。

15、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，半导体(10)加热到300℃-400℃的第一给定温度，在半导体(10)达到该温度后，半导体(10)周围区域净化给定时间，然后半导体(10)进一步加热到约600℃-700℃的第二给定温度，从而导电掺杂物质通过形成液滴与半导体的半导电体反应，然后加热到约900℃-1100℃的迁移过程的工作温度，热迁移过程结束后半导体(10)的温度下降到约650℃的第三给定温度，然后半导体(10)经2-3分钟时间冷却到给定取出温度。

16、按上述权利要求中至少一个权利要求所述的工艺，其特征在于，样本活塞(3)移入一取出和装载位置后打开以便承接半导体(10)，半导体(10)装载后样本活塞(3)进入封闭位置，然后样本活塞(3)排空后用惰性气体漂洗，然后把冷却液注入样本活塞(3)后按照给定程序加热和冷却半导体(10)，然后样本活塞(3)重新移入取出和装载位置，然后取出半导体(10)后放置在一最好用氮漂洗的储藏室中。