[发明专利]从硅中去除铜及其它金属杂质的工艺无效
| 申请号： | 98806433.2 | 申请日： | 1998-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1261459A | 公开（公告）日： | 2000-07-26 |
| 发明（设计）人： | L·W·施威;C·M·威特斯 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 其它 金属 杂质 工艺 | ||
1.一种从未制作布线图案的硅晶片中去除金属杂质的工艺，该工艺包括将晶片退火，通过将其浸入加热到至少约125℃温度的酸溶液中保持至少约0.1小时，以使所述金属扩散至晶片表面，在该晶片表面氧化、配合扩散的金属并从晶片表面去除氧化的金属配合物。
2.根据权利要求1提出的工艺，其中晶片的退火是通过将晶片浸入加热到约125℃至约250℃温度的酸溶液保持约0.5至约10小时而完成的。
3.根据权利要求1提出的工艺，其中晶片的退火是通过将晶片浸入加热到约250℃至约400℃温度的酸溶液保持约0.1至约0.5小时而完成的。
4.根据权利要求1提出的工艺，其中酸溶液的PH值约为4或更低。
5.根据权利要求4提出的工艺，其中酸溶液的PH值约为2或更低。
6.根据权利要求5提出的工艺，其中酸溶液包含硫酸。
7.根据权利要求1提出的工艺，其中晶片退火是为了从晶片内部扩散金属。
8.根据权利要求7提出的工艺，其中被扩散金属可为铜或镍。
9.根据权利要求1提出的工艺，其中晶片退火是为了从距晶片表面不足约1微米的深度扩散所述金属。
10.根据权利要求9提出的工艺，其中被扩散金属可为铜、镍、铁、铬、钴、锰或锌。
11.一种从未制作布线图案的硅晶片中去除金属杂质的工艺，该工艺包括将晶片退火，通过将其浸入加热到至少约150℃温度的酸溶液，以使金属扩散至晶片表面，在晶片表面氧化、配合扩散的金属并从晶片表面去除氧化的金属配合物。
12.根据权利要求11提出的工艺，其中晶片的退火是通过将晶片浸入加热到约250℃至约400℃温度的酸溶液保持约0.1至约0.5小时而完成。
13.根据权利要求11提出的工艺，其中酸溶液的PH值约为4或更低。
14.根据权利要求13提出的工艺，其中酸溶液的PH值约为2或更低。
15.根据权利要求14提出的工艺，其中酸溶液包含硫酸。
16.根据权利要求11提出的工艺，其中晶片退火是为了从晶片内部扩散金属。
17.根据权利要求16提出的工艺，其中被扩散金属可为铜或镍。
18.根据权利要求11提出的工艺，其中晶片退火是为了从距晶片表面不足约1微米的深度扩散金属。
19.根据权利要求18提出的工艺，其中被扩散金属可为铜、镍、铁、铬、钴、锰或锌。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98806433.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：逆流式空气过滤器结构和方法
- 下一篇：氢硅杂倍半噁烷树脂的合成
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
