[发明专利]层状超晶格材料和ABO3型金属氧化物的制备方法和在不暴露于氧气下制备包括这些材料的电元件的方法

权利要求书

1、一种制备选自层状超晶格化合物和ABO₃型金属氧化物化合物的材料(30、60)的方法，该方法包括：提供(85A、85B、80)基底(18、58)和前体，该前体包含在加热所述前体时自发形成所述材料的有效量的金属部分；将前体涂覆(87)在基底上以形成前体膜；所述方法的特征是，在500℃至900℃的温度下，在无氧气氛中加热前体膜以便在基底上形成所述材料的固体薄膜(30、60)的这一加热步骤(91、93)。

2、一种制备选自层状超晶格化合物和ABO₃型金属氧化物化合物的材料(30、60)的方法，该方法包括：提供(85A、85B、80)基底(18、58)和前体，该前体包含在加热所述前体时自发形成所述材料的有效量的金属部分；将前体涂覆(87)在基底上；干燥(88、99)所述前体以形成固体薄膜；所述方法的特征是，在高于600℃的温度下，在不暴露于氧气下，加热所述基底上的固体薄膜以便在基底上形成所述材料的这一加热步骤(91、93)。

3、权利要求1或2的方法，其特征在于所述加热步骤包括在大约650℃的温度，在无氧气氛中快速热处理(91)所述前体，所述快速热处理进行约30秒。

4、权利要求1或2的方法，其特征在于，所述加热步骤包括在约700至900℃，在惰性气氛中进行的退火(93)。

5、权利要求1或2的方法，其中所述基底包括第一电极(18、58)，并且该方法进一步包括在所述退火步骤之后在所述材料上形成第二电极(32、77)，从而形成电容器(16)的步骤，该方法进一步的特征是随后在300至900℃，在无氧气氛中进行的第二退火步骤(96)。

6、权利要求5的方法，其特征在于所述第二退火温度是约800℃，并在氮气氛中进行。

7、权利要求1或2的方法，其中所述基底包括第一电极(18、58)，并且该方法进一步包括在所述退火步骤之后在所述层状超晶格材料(30、60)上形成第二电极(32、77)，从而形成电容器(16)的步骤，该方法进一步的特征是随后在600℃或更低的温度下，在氧气中进行的第二退火步骤(96)。

8、权利要求1或2的方法，其中所述材料包括层状超晶格材料。

9、权利要求1或2的方法，其进一步包括在200℃至最高达500℃的温度下，在包括氧气的气氛中快速热处理(90)所述前体膜的步骤。

10、权利要求1或2的方法，其中所述材料包括选自PZT和BST的材料。

11、权利要求1或2的方法，其中所述材料构成集成电路存储器(70)的一部分(50)。

12、权利要求11的方法，其中所述的存储器选自DRAMs和铁电FETs。