[发明专利]包括钨侵蚀抑制剂的抛光组合物在审
申请号: | 98809580.7 | 申请日: | 1998-07-27 |
公开(公告)号: | CN1272221A | 公开(公告)日: | 2000-11-01 |
发明(设计)人: | 史蒂文·K·格鲁姆宾;克里斯托弗·C·斯特赖恩兹;埃里克·W·G·霍格伦 | 申请(专利权)人: | 卡伯特微电子公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B44C1/22;C09G1/00 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 巫肖南 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 侵蚀 抑制剂 抛光 组合 | ||
1.一种化学机械抛光组合物,包括:
能侵蚀钨的化合物;和
至少一种钨侵蚀抑制剂。
2.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂是包括含氮官能基的化合物。
3.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中可用作钨侵蚀抑制剂的化合物为包括至少一种选自含氮官能团杂环、硫化物、硫醇、烷基铵离子、或一个化合物中各官能基混合物的化合物。
4.权利要求2的化学机械抛光组合物,其中含氮官能团化合物为含氮的杂环、形成烷基铵离子的化合物、氨基烷基、氨基酸和其混合物。
5.权利要求2的化学机械抛光组合物,其中含氮官能团化合物选自2,3,5-三甲基吡嗪、2-乙基-3,5-二甲基吡嗪、喹啉、乙基吡咯、哒嗪、组氨酸、吡嗪、苯并咪唑和其混合物。
6.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂选自还原的谷胱甘肽、半胱氨酸、2-巯基-苯并咪唑、胱氨酸胺、噻吩、巯基n-氧吡啶、盐酸硫胺、四乙基二硫化四烷基秋兰姆、2,5-二巯基-1,3-噻二唑及其混合物。
7..权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂是包括烷基铵离子官能团的化合物,这些化合物选自Monoquat isies(异硬脂酰基乙基亚氨基)、氢氧化十六烷基三甲基铵、alkaterge E(2-十七烷基-4-乙基-2唑啉4-甲醇)、Aliquat 336(氯化三辛基甲基铵)、Nuospet 101(4,4-二甲基唑烷)、氢氧化四丁基铵、十二烷基胺、氢氧化四甲基铵和其混合物。
8..权利要求2的化学机械抛光组合物,其中含氮官能团化合物为在pH小于约9时形成烷基铵离子的化合物。
9..权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂选自天然存在的氨基酸、合成的氨基酸和其混合物。
10..权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂是甘氨酸。
11.权利要求1-10任一项的化学机械抛光组合物的水溶液。
12.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中钨侵蚀抑制剂是至少一种在pH小于约5.0的水溶液中形成烷基铵离子的化合物。
13.权利要求1的化学机械抛光组合物,包括氨基丙基甲硅烷醇、氨基丙基硅氧烷和其混合物。
14.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中能侵蚀钨的组分具有能侵蚀钨的pH。
15.权利要求14的化学机械抛光组合物,其中能侵蚀钨的化合物的pH大于约4.0。
16.权利要求1-15中任一项的化学机械抛光组合物,其中能侵蚀钨的化合物是至少一种氧化剂。
17.权利要求16的化学机械抛光组合物,其中氧化剂为至少一种过化合物。
18.权利要求17的化学机械抛光组合物,其中过化合物是过氧化氢。
19.权利要求18的化学机械抛光组合物,包括约0.5至约50重量%的过氧化氢。
20.权利要求19的化学机械抛光组合物,包括约0.5至约10重量%的过氧化氢。
21.权利要求1-20中任一项的化学机械抛光组合物,其中能侵蚀钨的化合物是至少一种含氟化合物。
22.权利要求1-21中任一项的化学机械抛光组合物,还包括至少一种金属催化剂。
23..权利要求22的化学机械抛光组合物,其中金属催化剂为选自具有多个氧化态的无机铁化合物和有机铁化合物的铁催化剂。
24.权利要求23的化学机械抛光组合物,其中铁催化剂为硝酸铁。
25.权利要求24的化学机械抛光组合物,包括约0.001至约2.0重量%的硝酸铁催化剂。
26.权利要求1化学机械抛光组合物,其中能侵蚀钨的化合物是过氧化氢,以及其中该组合物还包括约0.001至约0.2重量%的铁催化剂。
27.一种化学机械抛光浆料,包括权利要求1-26中任一项的化学机械抛光组合物和至少一种金属氧化物磨料。
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