[发明专利]铁电体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种铁电体存储装置，其特征在于：A)这种铁电体存储装置具备有a1)带有第1导电型基板区域的半导体基板、a2)形成于上述第1导电型区域表面上的1对第2导电型杂质区域，a3)形成于上述1对杂质区域之间的上述基板区域上的第1绝缘膜、a4)形成于上述第1绝缘膜上的铁电体层、a5)形成于上述铁电体层上的上部电极，B)是一种形成于上述第1绝缘膜和上述上部电极之间的绝缘膜，为了使上述铁电体层的实质容量减少，具备有只在上述1对杂质区域之间的上述基板区域上的一部分上形成的实质容量减少绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的铁电体存储装置，其特征在于与上述铁电体层相比，上述实质容量减少用绝缘膜其介电常数小。

3.根据权利要求2所述的铁电体存储装置，其特征在于在上述铁电体层和上述第1绝缘膜之间带有浮动型导体层，上述实质容量减少绝缘膜位于上述铁电体层和上述浮动型导体层之间。

4.一种铁电体存储装置，其特征在于：A)这种铁电体存储装置具备有a1)带有第1导电型基板区域的半导体基板、a2)形成于上述第1导电型区域表面上的1对第2导电型杂质区域，a3)形成于上述1对杂质区域之间的上述基板区域上的第1绝缘膜、a4)形成于上述第1绝缘膜上的铁电体层、a5)形成于上述铁电体层上的上部电极，B)具备有被形成于上述第1绝缘膜和上述上部电极之间且使上述铁电体层的实质容量减少的实质容量减少绝缘膜，在上述1对杂质区域之间的上述基板区域上带有只存在上述铁电体层的部分和存在上述容量减少用绝缘膜与上述铁电体层重叠的部分。

5.根据权利要求4所述的铁电体存储装置，其特征在于与上述铁电体层相比，上述实质容量减少用绝缘膜其介电常数小。

6.根据权利要求5所述的铁电体存储装置，其特征在于在上述铁电体层和上述第1绝缘膜之间带有浮动型导体层，上述实质容量减少绝缘膜位于上述铁电体层和上述浮动型导体层之间。

7.一种使用了铁电体层的半导体存储器，是一种至少在半导体层上带有第1绝缘膜和夹着铁电体层设置控制栅极的铁电体存储FET的半导体存储器，其特征在于在上述铁电体层的上侧或下侧，第2绝缘膜被插入到与该铁电体层的面积的一部分相当的部分上。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于上述第2绝缘膜为介电常数比上述铁电体层小的绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于上述铁电体存储FET在上述半导体层和上述控制栅极之间有浮动栅极，在该浮动栅极和上述控制栅极之间设有上述铁电体层，上述第2绝缘膜被设在该浮动栅极和上述控制栅极之间。

10.一种铁电体存储装置的制造方法，其特征在于：A)是具备有如下步骤的铁电体存储装置的制造方法：a1)准备带有第1导电型基板区域的半导体基板、a2)由上述基板区域的一部分且在上述基板区域上形成第1绝缘膜，a3)在上述第1绝缘膜上形成铁电体层及上部电极、a4)把上述上部电极作为掩模注入第2导电型杂质并在上述基板区域内形成第2导电型杂质杂质区域，B)为了在上述第1绝缘膜和上述上部电极之间使上述铁电体层的实质容量减小，在上述基板区域上且在上述上部电极的下部区域形成容量减少用绝缘膜，使之带有只存在上述铁电体层的部分和存在与上述铁电体层重叠的部分。

11.根据权利要求10所述的铁电体存储装置的制造方法，其特征在于与上述铁电体层相比，上述实质容量减少用绝缘膜其介电常数小。

12.根据权利要求11所述的铁电体存储装置的制造方法，其特征在于在上述铁电体层和上述第1绝缘膜之间带有浮动型导体层，上述实质容量减少绝缘膜位于上述铁电体层和上述浮动型导体层之间。