[发明专利]用于沉积薄膜的双频等离子激发

权利要求书

1.一种沉积薄膜的方法，包括下列步骤：

在处理室中对透明衬底加热；将处理气流通入处理室；产生高频电源输出；产生低频电源输出；将所述高频电源输出和低频电源输出叠加；以及用叠加的高频和低频电源输出从处理气体中激发等离子，以在大约0.4到3乇之间的压力、和大约250到450℃之间的温度下将薄膜沉积在透明衬底上。

2.如权利要求1中所述的方法，其中，处理室中的透明衬底为玻璃衬底。

3.如权利要求1中所述的方法，其中，处理室中的透明衬底为石英衬底。

4.如权利要求1中所述的方法，其中，通入处理室中的气流包括硅烷和氧气。

5.如权利要求1中所述的方法，其中，通入处理室中的气流包括原硅酸乙酯(TEOS)和氧气。

6.如权利要求1中所述的方法，其中，通入处理室中的气流包括硅烷和一氧化二氮。

7.如权利要求1中所述的方法，其中，通入处理室中的气流包括TEOS和一氧化二氮。

8.如权利要求1中所述的方法，其中，通入处理室中的气流包括硅烷、氮气和氨气。

9.如权利要求1中所述的方法，还包括其中间区域与叠加的电源输出相连的喷头。

10.如权利要求1中所述的方法，其中，衬底置于具有多个角和一个中间部分的感受器上，且还包括将感受器在各个角和中间部分处接地的步骤。

11.如权利要求1中所述的方法，其中，在低频电源输出之前产生高频电源输出。

12.如权利要求1中所述的方法，其中，衬底置于感受器上，并置于喷头下面，且叠加电源输出的步骤还包括：

将高频和低频电源输出中的一个施加到感受器上，并将其中的另一个施加到喷头上。

13.如权利要求1中所述的方法，其中，高频电源输出在约等于或大于13兆赫兹的频率下产生，功率为约1到5千瓦。

14.如权利要求1中所述的方法，其中，低频电源输出在约等于或小于2兆赫兹的频率下产生，功率为约300瓦到2千瓦。

15.如权利要求1中所述的方法，其中，高频电源输出在约等于或大于13兆赫兹的频率下产生，功率为约1到5千瓦；低频电源输出在约等于或小于2兆赫兹的频率下产生，功率为约300瓦到2千瓦。

16.一种沉积薄膜的设备，包括：

可以放置待处理透明衬底的真空室，该真空室的压力可控制在约0.4到3乇之间；与真空室连接以将气体通入真空室的处理气源；可将处理室中的透明衬底加热到温度约250到450℃的加热器；高频电源；以及低频电源，该高频和低频电源的输出叠加，以从处理室中的处理气体激发等离子体，在透明衬底上沉积生成薄膜。

17.如权利要求16中所述的设备，其中，高频电源和低频电源都包括：阻抗匹配电路；以及与该阻抗匹配电路连接的滤波器。

18.如权利要求16中所述的设备，其中，衬底置于感受器上，感受器接地。

19.如权利要求18中所述的设备，其中，感受器的四个角和一个中间部分都接地。

20.如权利要求16中所述的设备，还包括：支撑衬底的感受器，该感受器与低频和高频电源中的一个连接；以及将处理气体通入处理室的喷头，该喷头与高频和低频电源中的另一个连接。

21.如权利要求16中所述的设备，进一步包括：将处理气体通入处理室的喷头，该喷头有一个中间部分，并在靠近该中间部分处与高频和低频功率的输出相连接。

22.如权利要求16中所述的设备，进一步包括：将处理气体通入处理室的喷头，该喷头具有一个中间部分，并在靠近该中间部分处与高频和低频电源的输出相连接；以及用来支撑透明衬底的感受器，该感受器具有四个角和一个中间部分，该感受器的四个角和一个中间部分都接地。