[发明专利]处理基片的等离子体处理系统和方法

权利要求书

1.一种处理基片的等离子体处理系统，其包括：

室；

功率源；

从所说的功率源给在所说的室内的等离子体提供功率的等离子体耦合元件；和

用于调整所说的等离子体的密度和所说的等离子体化学成分之中的一种分布的装置。

2.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括用于夹持基片的基片夹具，以使所说的等离子体与所说的基片产生反应，其中所说的用于调整的装置调整如下分布之中的一种分布：所说反应的速率、所说反应的数量、由所说的反应产生的膜的化学计量成分和由所说的反应产生的膜的形态。

3.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中用于调整所说的分布的装置包括用于调整所说的室和接近所说的等离子体的复合表面中的一种的有效几何形状的装置。

4.如权利要求3所述的等离子体处理系统，其中用于调整有效几何形状的装置包括磁体。

5.如权利要求3所述的等离子体处理系统，其中用于调整有效几何形状的装置包括一种可更换部件和一种活动部件之中的一种。

6.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所说的用于调整的装置包括一种可更换部件和一种活动部件之中的一种。

7.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所说的等离子体耦合元件为电感应性元件。

8.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所说的等离子体耦合元件包括螺旋线圈，并且其中所说的室和所说的螺旋线圈之中的至少一个的第一部分的直径小于所说的室和所说的螺旋线圈之中的至少一个的第二部分的直径。

9.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所说的等离子体耦合元件包括螺旋线圈，其中所说的室的第一部分的直径小于所说的室的第二部分的直径，其中所说的螺旋线圈的第一环的直径小于所说的螺旋线圈的第二环的直径，和其中所说的室的第一部分设置在所说的第一环内，并且所说的室的第二部分设置在所说的第二环内，所说的系统进一步包括基片夹具，其中在所说的基片夹具和所说的室的所说的第二部分之间的间距小于在所说的基片夹具和所说的室的所说的第一部分之间的间距。

10.如权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括用于测量所说的密度和所说的化学成分之中的所说的一种分布的装置。

11.如权利要求10所述的等离子体处理系统，其中所说的用于调整的装置包括活动部件。

12.如权利要求11所述的等离子体处理系统，进一步包括：

用于移动所说的活动部件的马达；和

用于控制所说的马达响应所说的用于测量的装置的输出的控制器。

13.如权利要求10所述的等离子体处理系统，其中用于调整所说的分布的装置包括用于调整所说的室和接近所说的等离子体的复合表面中的一种的有效几何形状的装置。

14.如权利要求10所述的等离子体处理系统，其中所说的用于调整的装置包括导体屏蔽元件。

15.如权利要求10所述的等离子体处理系统，其中所说的用于调整的装置包括可更换部件。

16.如权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所说的用于调整的装置包括导体屏蔽元件。

17.如权利要求16所述的等离子体处理系统，其中所说的导体屏蔽元件包括可更换部件和活动部件之中的一种部件。

18.如权利要求16所述的等离子体处理系统，其中所说的等离子体耦合元件为感应性的。

19.一种用于处理基片的等离子体处理系统，其包括：

室；

功率源；

从所说的功率源给在所说的室内的等离子体输送功率的等离子体耦合元件；和

接近所说的等离子体设置的复合部件，所说的复合部件用于调整所说的等离子体的密度和所说的等离子体的化学成分之中的一种分布。