[发明专利]场致发射装置

权利要求书

1.一种制造场致电子发射阴极的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

a.通过低分辨率装置在绝缘基板上淀积第一导电层、场致发射层和第二导电层，以形成至少一个阴极电极；

b.通过低分辨率装置在所述阴极电极上淀积绝缘层和第三导电层，以形成至少一个栅极电极；

c.对如此形成的结构涂覆一层光致抗蚀剂层

d.通过高分辨率装置暴露所述光致抗蚀剂层，以形成至少一组发射单元，每个所述组位于一个所述阴极电极与一个所述栅极电极之间的重叠区中；

e.对所述导电和绝缘层依次地进行蚀刻，以暴露所述单元中的所述场致发射层；以及

f.去除其余区域的所述光致抗蚀剂层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阴极是阴极阵列，所述阴极电极和所述栅极电极分别包括阴极寻址轨迹和栅极寻址轨迹，这些轨迹排列成可寻址的行和列，步骤d包括形成发射单元的所述组的图案。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：至少一个或者所有的所述阴极寻址轨迹对多个行或列单元进行寻址。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于：暴露和蚀刻的所述步骤包括在阴极阵列上形成基准标记，以便于在制造阵列后接着将阵列与阳极或其它元件对准。

5.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于包括通过施加液体亮金属或者通过无电电镀形成至少一个所述导电层的步骤。

6.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于包括通过真空蒸发或溅射以外的手段形成至少一个所述导电层的步骤。

7.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于：所述场致发射层包括一层大面积场致发射体材料。

8.如以上权利要求之一所述的方法，其特征在于进一步包括在完成步骤a至f后在阴极上依次淀积第二绝缘层和第四导电层，以形成一个聚焦栅格的步骤。

9.一种制造场致电子发射阴极的方法，其特征在于根据权利要求1并基本上参考附图中图1a至1e的以上描述。

10.一种制造场致电子发射阴极的方法，其特征在于基本上参考附图中图3、图4a至4f、图5a至5d、图6a或图6b的以上描述。

11.一种场致电子发射阴极，其特征在于它是利用根据以上权利要求之一所述的方法制造的。

12.一种场致发射装置，它包括具有场致发光荧光体的阳极和根据权利要求11的阴极，其特征在于：阴极是根据权利要求2的阴极阵列并被安排成轰击所述荧光体。

13.如权利要求12所述的场致发射装置，其特征在于：所述荧光体安排在红、绿和蓝组中，以形成彩色显示。

14.如权利要求13所述的场致发射装置，其特征在于包括轮流地激励所述红、绿和蓝的阳极驱动装置。

15.如权利要求12、13或14所述的场致发射装置，其特征在于进一步包括一个交指或网孔形式的电极，它被置于所述的荧光体之间并被安排成在小于所述荧光体被激励的电位下被激励，由此形成环绕荧光体的势阱，以便于将电子吸到所述荧光体上以及补偿阴极与阳极之间的不对准。

16.如权利要求11至15之一所述的场致发射装置，其特征在于：所述阴极设置有所述栅极电极上的进一步控制栅格、和如此驱动所述控制栅格的驱动装置，以延迟所述阴极发射的电子。

17.如权利要求16所述的场致发射装置，其特征在于进一步包括提供垂直于发射体表面的磁场的装置。

18.一种场致发射装置，其特征在于：基本上参考附图中图6a、图6b、图7、图8a或图8b所作的以上描述。