[发明专利]集成的光学起偏器

权利要求书

1.一种在有一个上表面和两个侧表面的一块硅拱棱波导上形成的集成光学起偏器，该起偏器包括一部段硅拱棱波导，在该拱棱的上表面上或该拱棱的至少一个侧表面上有一个缓冲层和一个光吸收层，缓冲层的折射率使得沿着波导传输和入射到拱棱波导的各自表面上的光进入缓冲层，并随后进入光吸收层，从而使沿着波导传输的光的TM模(磁场横模)或TE模(电场横模)衰减。

2.按照权利要求1中所述的集成光学起偏器，其中，缓冲层的折射率为2或更高。

3.按照权利要求2中所述的集成光学起偏器，其中，缓冲层为硒化锌。

4.按照权利要求1、2或3中所述的集成光学起偏器，其中，缓冲层的厚度在20到500埃的范围内，最好在80到220埃的范围内。

5.按照上述任一项权利要求中所述的集成光学起偏器，其中，光吸收层为一个金属层。

6.按照权利要求5中所述的集成光学起偏器，其中，金属层由铝形成。

7.按照上述任一项权利要求中所述的集成光学起偏器的长度为3毫米或更小，最好为1毫米或更小。

8.按照上述任一项权利要求中所述的集成光学起偏器，其中，拱棱波导的宽度和高度尺寸可以高到10微米，最好在3到5毫米范围内。

9.按照上述任一项权利要求中所述的集成光学起偏器，其中，在拱棱的比通到该拱棱和离开该拱棱的拱棱部段要宽的一部段上形成起偏器。

10.按照权利要求9中所述的集成光学起偏器，其中，拱棱波导在形成起偏器的较宽的部段与通到该部段和离开该部段的部段之间倾斜。

11.按照权利要求8或9和10中所述的集成光学起偏器，其中，在拱棱的至少8微米宽最好10微米宽的一部段上形成起偏器。

12.一种在有一个上表面和两个侧表面的一块硅拱棱波导上形成起偏器的方法，其中一个缓冲层设在该拱棱的上表面上或该拱棱的至少一个侧表面上，一个光吸收层设在缓冲层上，缓冲层的折射率使得沿着波导传输和入射到拱棱波导的各自表面上的光进入缓冲层，并随后进入光吸收层，从而使沿着波导传输的光的TM模(磁场横模)或TE模(电场横模)衰减。

13.按照权利要求12中所述的方法，其中，由拱棱段的一部段的上表面或侧表面中至少之一除去氧化物层，并把折射率为2或更高的一个缓冲层沉积在其上。

14.按照权利要求12中所述的方法，其中，采用氢氟酸除去氧化物层。

15.按照权利要求13或14中所述的方法，其中，缓冲层为硒化锌。