[发明专利]应力衰减型电子元器件、布线板及其安装体无效
申请号: | 98811285.X | 申请日: | 1998-11-13 |
公开(公告)号: | CN1279821A | 公开(公告)日: | 2001-01-10 |
发明(设计)人: | 竹泽弘辉;塚本胜秀;板垣峰广;别所芳宏;畠中秀夫;福村泰司;江田和生;石田彻 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 衰减 电子元器件 布线 及其 安装 | ||
1.一种应力衰减型电子元器件,在安装在布线板上的电子元器件中,其特征在于,在与所述布线板连接的所述电子元器件的连接部分的表面预先设有应力衰减机构体,该应力衰减机构体具有导电性。
2.如权利要求1所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,在存在于所述电子元器件连接部分表面的每个电极相互电气独立设置所述应力衰减机构体。
3.如权利要求1或2所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,在应力衰减机构体与布线板连接一侧的表面备有可焊接层。
4.如权利要求3所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,所述可焊接层为利用铜箔或有机金属络合物膜的热分解形成的金属。
5.如权利要求1、2、3或4所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,所述应力衰减机构体用导电性粘接剂形成。
6.如权利要求1至5任一权利要求所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,所述应力衰减机构体用可焊接的导电性粘接剂形成。
7.如权利要求1所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,存在于所述连接部分表面的电极兼作所述应力衰减机构体。
8.如权利要求7所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,所述电极是导电性树脂组成物。
9.如权利要求8所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,所述导电性树脂组成物至少包含导电性填料、热硬化性树脂和具有发泡性的中空合成树脂粒子作为主成分。
10.如权利要求7或8所述的应力衰减型电子元器件,其特征在于,在所述电极上面进一步形成导电性粘接剂,构成应力衰减机构体。
11.一种应力衰减型布线板,在安装电子元器件的布线板中,其特征在于,在所述布线板的与所述电子元器件的连接部分表面设置有应力衰减机构体。
12.如权利要求11所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述应力衰减机构体具有导电性。
13.如权利要求11或12所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述应力衰减机构体相互电气独立地设置在存在于所述布线板连接部分表面的每个电极。
14.如权利要求11~13任一权利要求所述的应力衰减型布线板,其特征在于,在所述布线板上安装多个所述电子元器件。
15.如权利要求14所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述多个电子元器件为不同大小或不同形状的电子元器件。
16.如权利要求11至15的任一权利要求所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述应力衰减机构体的与所述电子元器件连接的表面存在可焊接层。
17.如权利要求16所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述可焊接层为由铜箔或有机金属络合物膜热分解形成的金属。
18.如权利要求11至14任一权利要求所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述应力衰减机构体用导电粘接剂形成。
19.如权利要求11至14任一权利要求所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述应力衰减机构体用可焊接的导电粘接剂形成。
20.如权利要求11至14任一权利要求所述的应力衰减型布线板,其特征在于,存在于所述连接部分表面的电极兼作所述应力衰减机构体。
21.如权利要求20所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述电极为导电性树脂组成物。
22.如权利要求21所述的应力衰减型布线板,其特征在于,所述导电性树脂组成物至少包含导电性填料、热硬化性树脂和具有发泡性的中空合成树脂粒子作为主成分。
23.如权利要求20、21或22所述的应力衰减型布线板,其特征在于,在所述电极上面进一步形成焊料层,或构成应力衰减机构体的导电性粘接剂。
24.一种应力衰减型电子元器件安装体,其特征在于,电子元器件经过应力衰减机构体安装在布线板上,所述应力衰减机构体具有导电性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造