[发明专利]传感器设备

权利要求书

1、一种传感器设备，它用于生成与过滤后的场景图像相对应的传感器信号，所述设备包括：

(ⅰ)检测装置(52)，包括多个检测器元件(58)并设置成用于在第一和第二检测步骤中分别获得第一个和第二元件信号；以及

(ⅱ)处理装置(300)，与各元件(58)相联并用于从上述元件信号中获得差值信号，以供生成传感器信号，

其特征在于，上述处理装置(300)包括补偿装置，用于抵消根据传感器设备在检测步骤之间转换而产生的不精确性。

2、如权利要求1的传感器设备，其特征在于，所述处理器装置(300)包括：

(ⅰ)存储装置(304)，包括一存储电容器，该电容器用于将在上述第一步骤中来自第一元件信号的校准信号记录于其中；

(ⅱ)电流喷射装置，用于在上述第一步骤中将电流喷射到电容器上并用于在上述第二步骤中根据在上述第一步骤中记录下来的校准信号而提供一电流，以供生成差值信号，所述喷射装置包括一可编程的电流源，该电流源包括自栅-阴MOS场效应晶体管。

3、如权利要求1的传感器设备，其特征在于：

(ⅰ)所述处理装置(300)包括存储装置(304)，该存储装置包括一存储电容器，用于将在上述第一步骤中来自第一元件信号的校准信号记录下来；以及

(ⅱ)所述补偿装置包括一补偿电容器，包括第一和第二电极，第一电极与所述存储电容器相连，以便将补偿电荷喷射到该电容器上，第二电极设置成受补偿信号的驱动，以便抵消传感器设备在检测步骤之间转换时存储装置(304)内的不精确性。

4、如权利要求3的传感器设备，其特征在于，所述补偿信号对与提供给处理装置的用于选择相位的信号相逆相。

5、如权利要求3或4的传感器设备，其特征在于，所述补偿电容器包括一补偿MOS场效应晶体管，其沟道电极都是缩短的，以提供该电容器的电极之一，并且，其栅电极设置成能提供该电容器的另一个电极。

6、如权利要求5的传感器设备，其特征在于，所述存储装置(304)包括一启动MOS场效应晶体管，用于使该装置从前述第一步骤转换至前述第二步骤，在所述第一步骤中，存储装置将相应的校准信号存入存储电容器，在所述第二步骤中，存储装置提供上述校准信号，并且，所述补偿MOS场效应晶体管包括一短沟道，因此，栅-沟道电容量基本上是上述启动MOS场效应晶体管电容量的一半。

7、如权利要求1的传感器设备，其特征在于，所述元件(58)和处理装置(300)一道被集成在衬层上。

8、如权利要求1的传感器设备，其特征在于，所述处理装置(300)包括接口装置(302)，用于提供从处理装置(300)到相应元件(58)的接口并用于使元件(58)的输入阻抗小于元件(58)的内部等价阻抗，所述接口装置(302)包括MOS场效应晶体管，配置成共栅结构。

9、如权利要求1的传感器设备，其特征在于，该传感器设备包括投影装置(204)，用于在上述第一和第二步骤中分别将第一和第二图像投射到检测装置(52)上，其中：

(ⅰ)所述图像中的至少一个是来自场景的射线的投影；以及

(ⅱ)所述图像有彼此不同程度的模糊，但不是完全散焦的，并且，每个图像都保持了可辨别的空间特征；

从而，能使得上述传感器设备提供与在空间上过滤过的场景图像相对应的传感器信号。

10、如权利要求9的传感器设备，其特征在于，所述模糊程度是这样的即：来自可根据单个元件(58)聚焦的场景元件在检测装置(52)的一个元件至25％元件的范围内散布在多个元件上(58)。

11、如权利要求9的传感器设备，其特征在于，所述图像模糊到了可手动或自动地加以选择的程度。

12、如权利要求9的传感器设备，其特征在于，所述第二图像可比第一图像有更大的模糊度。

13、如权利要求9的传感器设备，其特征在于，所述第一和第二图像中的至少一个是漫射图像。

14、如权利要求13的传感器设备，其特征在于，所述投影装置设置成能在图像是漫射的时由两个元件之间和64％的元件来接收与可在一个元件上接收的来自聚焦信号的射线相对应的射线。