[发明专利]有源像素传感器中的量子效率的改进

权利要求书

1．一种图像传感器，包括：

多个像素区域，每个像素区域包括电路区域和光电二极管区域，所述光电二极管区域包括在其中的光电二极管元件，所述光电二极管元件占据的空间小于由电路区域剩下的敞开空间的总量。

2．如权利要求1所述的传感器，其中所述光电二极管在所述基片上位于这样的位置，使得所述基片包括在所述基片内的基本上离开所述光电二极管等距离的多个收集区域。

3．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管呈从像素的一个边沿向着像素的中心延伸的棒形。

4．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管的形状为环形的一部分。

5．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管沿着所述像素的对角线延伸。

6．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管呈一个环形的形状，所述环的中心是所述像素的中心。

7．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管呈H形。

8．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管呈X形。

9．一种图像传感器，包括：

多个像素区域，每个像素区域被形成在可以接收入射光并和所述入射光相互作用从而形成被改变的可以扩散的基片部分的那种类型的基片上，每个所述像素区域包括电路区域和光电二极管区域，所述光电二极管区域包括在其中的光电二极管元件，所述光电二极管元件具有被优化的形状，以便获得所述改变的基片部分的扩散，而不是直接获得光。

10．如权利要求9所述的传感器，其中所述光电二极管元件占据的空间小于由电路区域剩下的敞开的空间的总量。

11．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管在所述基片上位于这样的位置，使得所述基片包括在所述基片内的基本上离开所述光电二极管等距离的多个收集区域。

12．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管呈从像素的一个边沿向着像素的中心延伸的棒形。

13．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管的形状是环形的一部分。

14．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管沿着所述像素的对角线延伸。

15．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管呈一个环形的形状，所述环的中心是所述像素的中心。

16．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管呈H形。

17．如权利要求10所述的传感器，其中所述光电二极管呈X形。

18．一种图像传感器，包括：

多个像素区域，每个像素区域被形成在可以接收入射光的基片上，每个所述像素区域包括电路区域和光电二极管区域，所述光电二极管区域包括在其中由不透明的用于阻断直接达到所述光电二极管元件上的光的材料制成的光电二极管元件。

19．如权利要求18所述的传感器，其中所述不透明材料是多酸。

20．如权利要求18所述的传感器，其中所述光电二极管元件占据的空间小于由电路区域剩下的敞开的空间的总量。

21．如权利要求18所述的传感器，其中所述光电二极管在所述基片上位于这样的位置，使得所述基片包括在所述基片内的基本上离开所述光电二极管等距离的多个收集区域。

22．如权利要求21所述的传感器，其中所述光电二极管呈从像素的一个边沿向着像素的中心延伸的棒形。

23．如权利要求21所述的传感器，其中所述光电二极管的形状为一部分的环形。

24．如权利要求21所述的传感器，其中所述光电二极管沿着所述像素的对角线延伸。

25．如权利要求21所述的传感器，其中所述光电二极管呈一个环形的形状，所述环的中心是所述像素的中心。

26．如权利要求21所述的传感器，其中所述光电二极管呈H形。

27．如权利要求2所述的传感器，其中所述光电二极管呈X形。