[发明专利]具有复合隔板的场发射器件无效
| 申请号： | 98812198.0 | 申请日： | 1998-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1282448A | 公开（公告）日： | 2001-01-31 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·K·阿根欧;彼得·A·史密斯 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01J1/62 | 分类号： | H01J1/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 复合 隔板 发射 器件 | ||
1、一种场发射器件(100)，包括：
具有多个电子发射极(124)的阴极(102)，其中多个电子发射极(124)设计为发射电子流(132)；
设置成接收多个电子发射极(124)发射的电子流(132)的阳极(104)；
设置在阴极(102)和阳极(104)间的抽空区(106)；以及
在阳极(104)和阴极(102)间延伸的复合隔板(108)，包括第一层(107)和导电层(109)，其中复合隔板(108)的导电层(109)限定设于抽空区(106)内的导电表面(111)，其中复合隔板(108)的高度大于500微米。
2、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中第一层(107)在阳极(104)和导电层(109)间延伸，其中导电层(109)在第一层(107)和阴极(102)间延伸。
3、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中复合隔板(108)的导电层(109)包括金属。
4、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中复合隔板(108)的导电层(109)包括陶瓷-金属复合材料。
5、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中复合隔板(108)的第一层(107)包括体阻材料。
6、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中复合隔板(108)的第一层(107)包括介质材料。
7、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中复合隔板(108)的导电层(109)的高度选择为使电子流(132)偏转到足以防止复合隔板(108)发生被电子流(132)过度静电充电的程度。
8、根据权利要求1的场发射器件(100)，其中阴极(102)包括介质层(120)，其中阴极(102)还包括设于介质层(120)上的第二导电层(130)，其中第二导电层(130)连接到复合隔板(108)的导电层(109)上，从而在场发射器件(100)工作期间，在复合隔板(108)上产生的静电荷通过第二导电层(130)消散。
9、根据权利要求8的场发射器件(100)，其中阴极(102)包括多个栅引出电极(126，128)，其中第二导电层(130)连接到多个栅引出电极(126，128)之一上。
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