[发明专利]低压晶体管的偏置

权利要求书

1．一种场效应晶体管电路，包括具有连接到各电源线的漏极和源极端以及接收输入信号的栅极端的场效应晶体管，该电路还包括一个二极管，它的阳极连接到晶体管的栅极端，它的阴极连接到偏置电压源，其中设置二极管以使在电路使用时，场效应晶体管的栅极端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。

2．根据权利要求1的电路，其中所述偏置电压源为负。

3．根据权利要求1或2的电路，其中所述二极管的阳极直接连接到场效应晶体管的栅极端。

4．根据权利要求1或2的电路，包括连接到晶体管、二极管以及电路的输入端的阻抗转换电路。

5．根据权利要求4的电路，其中所述阻抗转换电路包括串联连接在晶体管电路的输入端和晶体管的栅极端之间的第一和第二感性元件、连接在地与第一和第二感性元件之间的公共接点之间的电容器，所述二极管以及通过第二感性元件连接到晶体管的栅极端。

6．根据以上任何一个权利要求的电路，其中所述晶体管为金属半导体场效应晶体管(MESFET)。

7．一种包括以上任何一个权利要求中的场效应晶体管电路的功率放大器。

8．一种偏置场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有连接到各电源线的漏极和源极端以及接收输入信号的栅极端，该方法包括：

设置二极管以使它的阳极连接到晶体管的栅极端，它的阴极连接到偏置电压源，设置该二极管以使电路在使用时，场效应晶体管的栅极端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。

9．根据权利要求8的方法，其中所述偏置电压源为负。

10．根据权利要求8或9的方法，其中所述二极管的阳极直接连接到场效应晶体管的栅极端。

11．根据权利要求8或9的方法，包括设置连接到晶体管、二极管和电路输入端的阻抗转换电路。

12．根据权利要求11的方法，其中所述阻抗转换电路包括串联连接在晶体管电路的输入和晶体管的栅极端之间的第一和第二感性元件、连接在地与第一和第二感性元件之间的公共接点之间的电容器，所述二极管通过第二感性元件连接到晶体管栅极端。

13．根据以上任何一个权利要求的电路，其中所述晶体管为金属半导体场效应晶体管(MESFET)。