[发明专利]微孔膜及其制备方法

权利要求书

1、一种通过在真空下用高能的离子束辐照聚合物膜而制备微孔膜的方法。

2、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中对聚合物膜的一个或两个表面进行辐照。

3、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中所述高能离子粒选自于电子、氢气、氦气、氧气、氮气、空气、氟、氖、氩、氪、N₂O和它们的混合化合物。

4、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中辐照在10^-2～10^-8毫米汞柱的真空下、以1～100cm的辐照距离进行。

5、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中所述离子粒具有10^-2～10⁷KeV的能量。

6、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中辐照以高能离子粒的数量为10²～10²⁰个离子/cm²进行。

7、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中所述聚合物膜是在该聚合物熔点+10℃至聚合物熔点+100℃的温度下挤出，并将挤出后的聚合物膜在10-150℃下以5-120米/分的速率拉伸。

8、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中在辐照之前和/或之后，对聚合物膜进行退火工艺。

9、如权利要求8所述的制备微孔膜的方法，其中所述退火工艺在聚合物熔点-100℃至聚合物熔点-5℃的温度下进行10秒至1小时。

10、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中在辐照之前和/或之后，对聚合物膜进行一个拉伸工艺。

11、如权利要求10所述的制备微孔膜的方法，其中所述拉伸工艺在从-20℃至聚合物熔点-40℃的温度下进行。

12、如权利要求10所述的制备微孔膜的方法，其中所述拉伸工艺在从聚合物熔点-40℃至聚合物熔点-5℃的温度下进行。

13、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中在辐照之前和/或之后，对聚合物膜进行一个热定形工艺。

14、如权利要求13所述的制备微孔膜的方法，其中所述热定形工艺在从聚合物熔点-80℃至聚合物熔点-5℃的温度下进行。

15、如权利要求1所述的制备微孔膜的方法，其中在辐照工艺中国，将一种反应性气体同时施加到聚合物膜的表面上。

16、如权利要求15所述的制备微孔膜的方法，其中所述反应性气体选自于氦气、氢气、氧气、氮气、空气、氨气、一氧化碳、二氧化碳、氟、四氟化碳、甲烷、N₂O和它们的混合物化合物。

17、如权利要求15所述的制备微孔膜的方法，其中所述反应性气体以0.5～20ml/min的量使用。

18、如权利要求15所述的制备微孔膜的方法，其中在辐照工艺之后，将反应性气体施加至聚合物膜表面上。

19、如权利要求18所述的制备微孔膜的方法，其中所述反应性气体选自于氦气、氢气、氧气、氮气、空气、氨气、一氧化碳、二氧化碳、氟、四氟化碳、甲烷、N₂O和它们的混合物化合物。

20、如权利要求18所述的制备微孔膜的方法，其中所述反应性气体以0.5～20 ml/min的量使用。

21、如权利要求18所述的制备微孔膜的方法，其中所述聚合物膜是聚烯烃，其选自于聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、低密度线型聚乙烯和它们的混合物。

22、一种通过用高能离子粒在真空下辐照聚合物制得的具有圆形或椭圆形孔的微孔膜。

23、如权利要求22所述的微孔膜，其中孔的直径为0.005～10μm。

24、如权利要求22所述的微孔膜，其中所述膜可用作电池的隔板。

25、一种通过用高能离子粒在真空下辐照微孔膜而制备具有改进的物理性能的微孔膜的方法。