[发明专利]GaN单晶衬底及其制造方法

权利要求书

1．一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗的屏蔽层；

和在所述屏蔽层上，生长由GaN构成的外延层的外延层生长工序。

2．如权利要求1所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，还包括：在所述屏蔽层形成工序之前，在所述GaAs衬底上，形成过渡层的过渡层形成工序；

和在所述过渡层上，生长由GaN构成的下层外延层的下层外延层生长工序。

3．如权利要求1所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，还包括：在所述外延层生长工序之前，在所述过渡层的所述开口窗内的所述GaAs衬底上，形成过渡层的过渡层形成工序。

4．如权利要求2所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述过渡层的所述开口窗，是带状的条形窗。

5．如权利要求4所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述条形窗沿着由所述GaN构成的所述下层外延层的&#6010-10&#62方向延伸，窗宽在0．3μm～10μm范围内，屏蔽宽在2μm～20μm范围内。

6．如权利要求4所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述条形窗沿着由所述GaN构成的所述下层外延层的&#601-210&#62方向延伸，窗宽在0．3μm～10μm范围内，屏蔽宽在2μm～20μm范围内。

7．如权利要求2所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，在所述外延层生长工序之后，还包括：

除去所述GaAs衬底的GaAs衬底除去工序；和

研磨所述过渡层的下面及所述外延层的上面的研磨工序。

8．如权利要求3所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述屏蔽层的所述开口窗是带状的条形窗。

9．如权利要求8所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述条形窗，沿着所述GaAs衬底的&#6011-2&#62方向延伸，窗宽在0．3μm～10μm范围内，屏蔽宽在2μm～20μm范围内。

10．如权利要求8所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述条形窗，沿着所述GaAs衬底的&#601-10&#62方向延伸，窗宽在0．3μm～10μm范围内，屏蔽宽在2μm～20μm范围内。

11．如权利要求3所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，在所述外延层生长工序之后，还包括：

除去所述GaAs衬底的GaAs衬底除去工序；和

研磨所述屏蔽层及所述过渡层的下面和所述外延层的上面的研磨工序。

12．如权利要求1～3中任一项所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述GaAs衬底是GaAs(111)A衬底或GaAs(111)B衬底。

13．如权利要求2或权利要求收3所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述过渡层由氢化VPE形成。

14．如权利要求1～权利要求3中任一项所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述外延层由氢化VPE形成。

15．如权利要求1或权利要求3所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，所述外延层在厚度为5μm～300μm范围内生长，

在所述外延层生长工序之后，还包括：

除去所述GaAs衬底的GaAs衬底除去工序；和

在所述外延层上，使由GaN构成的第二外延层积层生长的工序。

16．如权利要求2所述的GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，使所述屏蔽层的所述开口窗，沿所述下层外延层的&#6010-10&#62方向，以间距L排列设置多个，形成&#6010-10&#62窗群，同时将所述的&#6010-10&#62窗群，沿所述下层外延层的&#601-210&#62方向，以间距d(0．75L≤d≤1．3L)并列设置多个。