[发明专利]带扭折抑制层的半导体激光器

权利要求书

1．一种半导体激光器件，包括：

活性层；

夹着所述活性层的上覆层和下覆层；

在上覆层上形成的脊，它按照光轴方向延伸；

沿着光轴方向定位在所述器件相对的两端并且定义谐振腔的刻面；

沿着光轴安排并且相对诸覆层取向，以便减少扭折功率对谐振腔特性的依赖性的扭折抑制层。

2．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层是在外延的上覆层的蚀刻部分上形成的。

3．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层把扭折功率大于150mW的器件数量提高到90％以上。

4．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层把扭折功率大于175mW的器件数量提高到接近90％或90％以上。

5．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层沿着基本光模区域的外围被横向截短。

6．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层包括两个部分，这两部分使脊两侧下面的光轴向下纵向延伸。

7．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层定位在脊的顶部与活性层之间。

8．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层在所述器件的工作波长下是吸收性的和/或改善高阶横向模所经历的有效的折射指数。

9．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层包括硅。

10．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层包括钛、镓或锗。

11．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层被淀积在上覆层上。

12．根据权利要求11的半导体激光器件，其中所述扭折抑制层是利用蒸发/溅射技术淀积的。

13．根据权利要求1的半导体激光器件，其中所述激光器件是激光放大器。

14．一种半导体激光器件，包括：

活性层；

外延的上覆层和下覆层，它们夹着所述活性层；

沿着光轴定位在所述器件相对的两端的刻面；

在上覆层上蚀刻而成的脊，它按照光轴方向延伸；

淀积在脊上的钝化层；以及

淀积在脊两侧位于钝化层和经过蚀刻的上覆层之间的光学层。

15．根据权利要求14的半导体激光器件，其中所述的光学能量吸收层包括硅。

16．根据权利要求14的半导体激光器件，其中所述的扭折抑制层包括钛、镓或锗。

17．一种用下覆层、上覆层和在上下覆层之间的活性层制作半

导体激光器件的方法，该方法包括：

在上覆层上形成脊；以及

形成扭折抑制层，该膜层相对所述覆层和活性层取向，以减少扭折功率对脊尺寸的依赖性。

18．根据权利要求17的方法，其中脊是通过蚀刻外延的上覆层形成的，而扭折抑制层就淀积在上覆层经过蚀刻的部分上。

19．根据权利要求17的方法，进一步包括所述扭折抑制层把扭折功率大于150mW的器件数量提高到90％以上。

20．根据权利要求17的方法，进一步包括所述扭折抑制层把扭折功率大于175mW的器件数量提高到接近90％或90％以上。

21．根据权利要求17的方法，进一步包括在光模区域两侧的两个部分中形成扭折抑制层。

22．根据权利要求17的方法，其中所述扭折抑制层是利用常规的蒸发/溅射技术淀积的。

23．根据权利要求17的方法，其中所述扭折抑制层是在低于150℃的温度下淀积的。

24．一种用下覆层、上覆层和在上下覆层之间的活性层制作半导体激光器件的方法，该方法包括：

在上覆层上蚀刻一个脊，该脊按照该激光器件的光轴方向延伸；

淀积一个钝化层；以及

在脊的两侧把光学层淀积在上覆层与钝化层之间。