[发明专利]碳化硅半导体开关器件

权利要求书

1．一种半导体开关器件，它包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域，其特征在于：所述碳化硅单晶和所述半导体区域之间的pn结界面，从所述碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸，包括与所述碳化硅单晶的<1120>取向平行或大致与之平行的晶面。

2．按照权利要求1的半导体开关器件，其特征在于：所述晶面的面积大于所述pn结界面的一半。

3．按照权利要求1的半导体开关器件，其特征在于：当所述半导体开关器件处于主电压阻塞状态时，耗尽层从所述pn结延伸到所述半导体区域中。

4．按照权利要求1的半导体开关器件，其特征在于：所述半导体区域中的所述第二导电类型的杂质用离子注入法引入所述碳化硅单晶。

5．按照权利要求1的半导体开关器件，其特征在于：所述表面是与<1120>取向平行的或大致与之平行的晶面。

6．按照权利要求5的半导体开关器件，其特征在于：所述晶面是{0001}晶面，或以1至8度范围的角度倾斜的{0001}晶面。

7．按照权利要求5的半导体开关器件，其特征在于：所述半导体区域与所述表面接触，并从所述表面沿着深度方向延伸。

8．按照权利要求7的半导体开关器件，其特征在于：所述半导体区域呈带形，在纵向上与所述表面平行。

9．按照权利要求8的半导体开关器件，其特征在于：所述纵向与<1120>取向平行或大致与之平行。

10．按照权利要求1的半导体开关器件，其特征在于：所述半导体区域中的第二导电类型杂质是铝或硼。