[发明专利]具有抑制不需要模式的共平面微波电路

权利要求书

1．一种用于抑制寄生模式的共平面电路结构，包括：

一个具有平面表面(204)的绝缘基板(202)；

一个传输线，至少包括安装在基板表面上的分离的第一和第二共平面导体(206,210)，第一和第二导体间隔一个第一缝隙(214)；

位于基板表面上的第一电阻性膜(220)，与第一导体共平面和相邻地沿着其长度延伸，电阻性膜与第一导体耦合以衰减寄生模式。

2．如权利要求1所述的共平面电路结构，还包括位于基板表面上并与第二导体(206)共平面和相邻地沿着其长度延伸的第二电阻性膜(220’)，第一和第二电阻性膜(220,220’)与第一和第二导体(206,210)耦合以衰减寄生模式。

3．如权利要求2所述的共平面电路结构，其特征在于第一导体(206)具有第一信号导通沿(208)，第二导体(210)具有第二信号导通沿(212)，其与第一导通沿(208)间隔第一缝隙(214)，第一和第二导体(206,210)分别在远离第一缝隙(214)的相对方向上延伸，第二导体(210)定义了一个与第二导通沿(212)间隔的第三导通沿(216)，第一导体(206)定义了一个与第一导通沿(208)分离的第四导通沿(216’)，第一电阻性膜(220)定义了与第三导通沿(216)耦合的第一电阻沿(222)，第二电阻性膜(220’)定义了与第四导通沿(216’)耦合的第二电阻沿(225)，从而通过耦合电阻性膜(220,220’)和导体(206,210)来衰减寄生模式。

4．如权利要求3所述的共平面电路结构，还包括一个至少具有两个安装在基板表面(204)上的端子(306a,306b,306c,306d)的倒装片有源器件(306)，并且第一和第二导体(206,210)中的至少一个与倒装片器件的至少一个端子连接。

5．如权利要求4所述的共平面电路结构，还包括位于基板表面上的第三共平面导体(314d)，第三导体与第二共平面电阻性膜(330,332)耦合；安装在第三导体(314d)上的第二倒装片有源器件(326)连接；以及其中一个电阻性膜(332)定义了一个具有第一端和第二端以及二端之间长度的去耦合槽(346)，该槽插在一个第一器件连接和第二倒装片有源器件连接之间，第一端(346a)横向位于第一和第二连接的一侧，第二端(346b)横向位于第一和第二连接的另一侧，该槽足够长以去除第一和第二连接中不需要的信号。

6．如权利要求3所述的共平面电路结构，还包括一个第三共平面导体(206)，其与第一和第二共平面导体(210,230)分离并位于它们之间，从而形成了一个共平面波导传输线。

7．如权利要求3所述的共平面电路结构，其特征在于第一和第二导体(206和210)以及第一和第二电阻性膜(220,220’)的两个相对端之间具有一个共同的长度Lr；第一电阻性膜(220)具有一个与第一电阻沿(222’)间隔至少一个距离Wr的第三电阻沿(224)；以及第二电阻性膜(220’)具有一个与第二电阻沿(225)间隔至少一个距离Wr’的第四电阻沿(224’)，并且选择宽度Wr和Wr’来衰减寄生模式。

8．如权利要求3所述的共平面电路结构，其特征在于第一电阻沿(222)和第三导通沿(216)间隔一个具有预定宽度的第二缝隙(223)。

9．如权利要求3所述的的共平面电路结构，还包括与第一电阻沿(222)间隔一个预定宽度的第一电阻性膜(220)的第三电阻沿(224)。

10．如权利要求9所述的共平面电路结构，还包括与第二电阻沿(225)间隔一个相同预定宽度的第二电阻性膜(220’)的第四电阻沿(224’)。

11．如权利要求9所述的共平面电路结构，其特征在于第一电阻性膜(220)的第三电阻沿(224)与第一电阻沿(222)间隔大约λx/4或更大距离，其中λx为寄生模式的波长。

12．如权利要求3所述的共平面电路结构，其特征在于第二导通沿(212)和第三导通沿(216)之间的间距足够大，使得波长为λs的共平面模式信号能够沿着第一导通沿(208)和第二导通沿(212)传输，而第三导通沿(216)上基本为零电流。