[发明专利]形成无孔隙沟槽隔离的方法

权利要求书

1．一种在半导体基片中形成沟槽隔离的方法，包含以下各步骤：

在半导体基片上形成沟槽隔离掩模，所述的沟槽隔离掩模由具有不同的蚀刻速率的第一和第二材料层组成；

使用沟槽形成掩模蚀刻基片，形成沟槽；

湿法腐蚀第一材料层以去掉第一材料层的两侧壁，从而形成沟槽形成掩模的钻蚀截面；和

在基片上淀积沟槽填充绝缘层，填满沟槽形成掩模，

其中，沟槽填充绝缘层在第一材料层的侧壁处的淀积速度慢于在沟槽内部的淀积速度。

2．如权利要求1所述的方法，其中所述的第一材料层是由氮化硅构成的，所述的第二材料层由CVD(化学汽相淀积)氧化层构成。

3．如权利要求1所述的方法，其中所述的第一材料层对第二材料层的腐蚀速率比大约在40∶1至45∶1之间。

4．一种在半导体基片中形成沟槽隔离的方法，包含以下各步骤：

在基片上依次形成一氮化硅层和一第一氧化层；

使氮化硅层和第一氧化层构成图形，以露出基片的一部分；

将已构成图形的氮化硅层作为沟槽形成掩模，蚀刻基片，以形成沟槽；

湿法腐蚀第一氧化层，以去掉第一氧化层的侧壁，露出基片位于沟槽边缘附近的一部分；

在基片被露出的部分和沟槽的内部形成一第二氧化层；

在基片上形成一绝缘层，填满沟槽；以及

将基片平面化，直到露出基片的上表面。

5．如权利要求4所述的方法，其中所述的第二氧化层在沟槽的边缘形成一个圆角。

6．如权利要求4所述的方法，还包含以下步骤，即在氮化硅层上形成一HTO(高温氧化物)层。

7．一种在半导体基片中形成沟槽隔离的方法，包含以下各步骤：

在基片上形成光刻胶图形，以决定基片的有源区和场区；

氧化基片的场区，以形成一氧化层；

形成相对于基片具有腐蚀选择性的衬套层，所述的衬套层形成在光刻胶层的两侧壁上；

使用光刻胶和衬套层的图形作为沟槽形成掩模，选择腐蚀氧化层和基片，在沟槽边缘的附近保留一部分氧化层；

在基片上形成绝缘层，填满沟槽；以及

平面化绝缘层，直到露出基片的上表面。

8．如权利要求7所述的方法，其中所述的衬套层由HTO或者氮化物构成。

9．如权利要求7所述的方法，其中所述的沟槽，具有底部窄、顶部宽的截面。