[发明专利]带氧化锌层的基片、氧化锌层的制造方法、光电器件以及光电器件的制造方法、

权利要求书

1.一种带氧化锌层的基片，其中至少氧化锌层设置在支撑基片上，氧化锌层从支撑基片侧开始依次包括c轴垂直于支撑基片的氧化锌层和c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层。

2.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中支撑基片为导电基片。

3.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中金属层插在支撑基片和氧化锌层之间。

4.根据权利要求3的带氧化锌层的基片，其中金属层为金属铝层。

5.根据权利要求4的带氧化锌层的基片，其中氧化铝层插在金属铝层和氧化锌层之间。

6.根据权利要求5的带氧化锌层的基片，其中通过氧等离子体工艺氧化金属铝层形成氧化铝层。

7.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中在支撑基片相对侧上的c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层表面内晶粒的平均倾斜角不小于15°。

8.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中在支撑基片相对侧上的c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层表面的表面粗糙度Ra不大于80nm。

9.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中在800nm处从氧化锌层侧入射的光的总反射率不小于60％。

10.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中在800nm处从氧化锌层侧入射的光的散射反射率不小于20％。

11.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层的厚度不小于5000。

12.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中支撑基片为SUS板。

13.根据权利要求12的带氧化锌层的基片，其中SUS板有一个2D表面。

14.根据权利要求12的带氧化锌层的基片，其中SUS板为长带卷形。

15.根据权利要求4的带氧化锌层的基片，其中金属层的厚度为1000到2500。

16.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中c轴垂直于支撑基片的氧化锌层的厚度为1500到2500。

17.根据权利要求1的带氧化锌层的基片，其中在垂直于支撑基片表面的方向内的电阻不大于20Ω/cm²。

18.一种形成氧化锌层的方法，包括：

通过溅射法在基片上形成c轴垂直于基片的氧化锌层；以及

通过电沉积法在c轴垂直于基片的氧化锌层上形成c轴向基片倾斜的氧化锌层。

19.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中基片为导电基片。

20.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中在形成c轴垂直于基片的氧化锌层的步骤中基片的温度设置在380℃或380℃以下。

21.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中通过溅射在基片上形成金属铝层，此后c轴垂直于基片的氧化锌层形成在金属铝层上。

22.根据权利要求21形成氧化锌层的方法，其中在形成金属铝层的步骤中基片的温度设置在100℃或100℃以下。

23.根据权利要求21形成氧化锌层的方法，其中形成金属铝层的步骤之后，通过氧等离子体氧化金属铝层的表面形成氧化铝层。

24.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中基片为长带卷形卷绕的SUS基片。

25.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中c轴垂直于基片的氧化锌层的厚度为1500到2500。

26.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中在c轴垂直于基片的氧化锌层的形成步骤中设置基片的温度，使在基片的相对侧上的c轴向基片倾斜的氧化锌层的表面内观察到的晶粒的平均晶粒尺寸不超过2μm，并且在800nm从c轴向基片倾斜的氧化锌层侧入射的光的散射反射率不小于20％。

27.根据权利要求18形成氧化锌层的方法，其中在c轴垂直于基片的氧化锌层的形成步骤中设置基片的温度，使在基片的相对侧上的c轴向基片倾斜的氧化锌层表面的表面相糙度Ra不大于80nm，并且表面的晶粒的平均倾斜角不小于15°。